一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110616860.8

申请日：

2021-06-03

公开(公告)号：

CN113549882B

公开(公告)日：

2021-10-26

发明(设计)人：

尹伊朱皓宇吴涛

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 G02F11523

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	公开	公开
2022-06-14	授权	授权
2021-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20210603

共 50 条

[1]

一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 [P].

张溪文 ;

陈益 .

中国专利 :CN107216045A ,2017-09-29

[2]

一种三氧化钨纳米碗电致变色材料及其制备方法 [P].

张勇 ;

史英迪 ;

汤凯 ;

宋艳斌 ;

崔接武 ;

王岩 ;

秦永强 ;

舒霞 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN109650741B ,2019-04-19

[3]

一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

邹友生 ;

窦康 ;

曾海波 ;

王沙龙 ;

董宇航 .

中国专利 :CN105366954B ,2016-03-02

[4]

一种共价键合三氧化钨纳米线/聚噻吩电致变色材料及其制备方法 [P].

吴玉程 ;

曹银欢 ;

张勇 ;

史英迪 ;

秦永强 ;

舒霞 ;

崔接武 ;

王岩 .

中国专利 :CN110684521A ,2020-01-14

[5]

一种纳米有机复合氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

伍媛婷 ;

仝小飞 .

中国专利 :CN107814493A ,2018-03-20

[6]

一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法 [P].

王秀丽 ;

蔡国发 ;

周鼎 ;

谷长栋 ;

涂江平 .

中国专利 :CN103395842A ,2013-11-20

[7]

一种三氧化钨/五氧化二钒核壳纳米线阵列电致变色材料及其制备方法 [P].

张勇 ;

汤凯 ;

史英迪 ;

宋艳斌 ;

王岩 ;

崔接武 ;

舒霞 ;

秦永强 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN107163928A ,2017-09-15

[8]

一种WO<sub>3</sub>纳米锥体电致变色薄膜的制备方法 [P].

尹伊 ;

竺易文 ;

陈治霖 ;

罗馨怡 ;

李春 .

中国专利 :CN118420240B ,2024-12-27

[9]

一种WO<sub>3</sub>纳米锥体电致变色薄膜的制备方法 [P].

尹伊 ;

竺易文 ;

陈治霖 ;

罗馨怡 ;

李春 .

中国专利 :CN118420240A ,2024-08-02

[10]

一种有序结构可控的氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

李垚 ;

赵英明 ;

张翔 ;

赵九蓬 ;

李文杰 ;

张虎林 .

中国专利 :CN113943928A ,2022-01-18

← 1 2 3 4 5 →