一种三氧化钨/五氧化二钒核壳纳米线阵列电致变色材料及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710431426.6
申请日
2017-06-09
公开(公告)号
CN107163928A
公开(公告)日
2017-09-15
发明(设计)人
张勇 汤凯 史英迪 宋艳斌 王岩 崔接武 舒霞 秦永强 吴玉程
申请人
申请人地址
230000 安徽省合肥市屯溪路193号
IPC主分类号
C09K900
IPC分类号
C03C1734 B82Y2000 B82Y3000 B82Y4000
代理机构
北京轻创知识产权代理有限公司 11212
代理人
沈尚林
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种聚噻吩/三氧化钨纳米棒电致变色材料及其制备方法 [P]. 
张勇 ;
史英迪 ;
宋艳斌 ;
汤凯 ;
崔接武 ;
王岩 ;
秦永强 ;
舒霞 ;
吴玉程 .
中国专利 :CN107033892B ,2017-08-11
[2]
一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 [P]. 
尹伊 ;
朱皓宇 ;
吴涛 .
中国专利 :CN113549882B ,2021-10-26
[3]
一种共价键合三氧化钨纳米线/聚噻吩电致变色材料及其制备方法 [P]. 
吴玉程 ;
曹银欢 ;
张勇 ;
史英迪 ;
秦永强 ;
舒霞 ;
崔接武 ;
王岩 .
中国专利 :CN110684521A ,2020-01-14
[4]
一种三氧化钨纳米碗电致变色材料及其制备方法 [P]. 
张勇 ;
史英迪 ;
汤凯 ;
宋艳斌 ;
崔接武 ;
王岩 ;
秦永强 ;
舒霞 ;
吴玉程 .
中国专利 :CN109650741B ,2019-04-19
[5]
三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法 [P]. 
王秀丽 ;
蔡国发 ;
周鼎 ;
谷长栋 ;
涂江平 .
中国专利 :CN103469272A ,2013-12-25
[6]
核壳型五氧化二钒-三氧化钨@三氧化钼纳米花状电致变色薄膜的制备方法 [P]. 
王亚斌 ;
王晶 ;
王刚 .
中国专利 :CN114911106A ,2022-08-16
[7]
一种晶态三氧化钨/钛掺杂非晶态氧化钨纳米线阵列及其制备方法 [P]. 
吴玉程 ;
汤凯 ;
张勇 ;
史英迪 ;
宋艳斌 ;
王岩 ;
崔接武 ;
舒霞 ;
秦永强 .
中国专利 :CN109021962B ,2018-12-18
[8]
一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 [P]. 
张溪文 ;
陈益 .
中国专利 :CN107216045A ,2017-09-29
[9]
一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法 [P]. 
张勇 ;
冯涛 ;
史英迪 ;
汤凯 ;
秦永强 ;
舒霞 ;
崔接武 ;
王岩 ;
吴玉程 .
中国专利 :CN110590176B ,2019-12-20
[10]
一种非晶态/晶态三氧化钨核壳结构电致变色薄膜及其制备方法 [P]. 
涂江平 ;
周鼎 ;
王秀丽 ;
夏新辉 ;
谷长栋 .
中国专利 :CN105060733A ,2015-11-18