一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910808634.2

申请日：

2019-08-29

公开(公告)号：

CN110590176B

公开(公告)日：

2019-12-20

发明(设计)人：

张勇冯涛史英迪汤凯秦永强舒霞崔接武王岩吴玉程

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市屯溪路193号合肥工业大学材料学院

IPC主分类号：

C03C1734

IPC分类号：

C09K900

代理机构：

石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128

代理人：

王占华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-20	公开	公开
2020-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C03C 17/34 申请日:20190829
2022-02-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C03C 17/34 登记生效日:20220120 变更事项:专利权人变更前权利人:合肥工业大学变更后权利人:合肥庐阳科技创新集团有限公司变更事项:地址变更前权利人:230000 安徽省合肥市屯溪路193号合肥工业大学材料学院变更后权利人:230001 安徽省合肥市庐阳区亳州路街道濉溪路335号蓝钻尚界B座6楼
2021-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

三氧化钨/聚苯胺核壳纳米线阵列变色薄膜及其制备方法 [P].

王秀丽 ;

蔡国发 ;

周鼎 ;

谷长栋 ;

涂江平 .

中国专利 :CN103469272A ,2013-12-25

[2]

氧化钨—聚吡咯核壳异质结构纳米线及其制备方法 [P].

秦玉香 ;

张天一 ;

王克行 ;

刘雕 .

中国专利 :CN108303447A ,2018-07-20

[3]

一种三氧化钨纳米阵列电致变色薄膜及其制备方法 [P].

王秀丽 ;

蔡国发 ;

周鼎 ;

谷长栋 ;

涂江平 .

中国专利 :CN103395842A ,2013-11-20

[4]

一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 [P].

张溪文 ;

陈益 .

中国专利 :CN107216045A ,2017-09-29

[5]

一种三氧化钨纳米线电致变色薄膜的制备方法 [P].

尹伊 ;

朱皓宇 ;

吴涛 .

中国专利 :CN113549882B ,2021-10-26

[6]

核壳型三氧化钼@氧化钨纳米晶电致变色薄膜的制备方法 [P].

王晶 ;

赵九蓬 ;

李垚 .

中国专利 :CN111217537B ,2020-06-02

[7]

多孔氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

姚爱华 ;

宋艳玲 .

中国专利 :CN113264690B ,2021-08-17

[8]

一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法 [P].

邹友生 ;

窦康 ;

曾海波 ;

王沙龙 ;

董宇航 .

中国专利 :CN105366954B ,2016-03-02

[9]

一种三氧化钨/五氧化二钒核壳纳米线阵列电致变色材料及其制备方法 [P].

张勇 ;

汤凯 ;

史英迪 ;

宋艳斌 ;

王岩 ;

崔接武 ;

舒霞 ;

秦永强 ;

吴玉程 .

中国专利 :CN107163928A ,2017-09-15

[10]

一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 [P].

任洋 ;

赵高扬 ;

王秋红 ;

高赟 .

中国专利 :CN105036564A ,2015-11-11

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