晶体氧化物薄膜、层叠体以及薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080023273.1

申请日：

2020-03-26

公开(公告)号：

CN113614276A

公开(公告)日：

2021-11-05

发明(设计)人：

川岛绘美井上一吉大山正嗣柴田雅敏

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C30B2922 H01L29786

代理机构：

上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291

代理人：

陈亦欧;毛立群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20200326
2021-11-05	公开	公开

共 50 条

[1]

晶体氧化物薄膜、层叠体及薄膜晶体管 [P].

川岛绘美 ;

霍间勇辉 ;

佐佐木大地 ;

山口幸士 ;

岩瀬信博 .

日本专利 :CN118103994A ,2024-05-28

[2]

氧化物薄膜晶体管 [P].

赵坤 ;

黄杰 ;

宁策 ;

李正亮 ;

胡合合 ;

贺家煜 ;

姚念琦 ;

李菲菲 ;

雷利平 .

中国专利 :CN113972285A ,2022-01-25

[3]

氧化物薄膜晶体管基板 [P].

尹弼相 ;

李永旭 ;

李禹根 .

中国专利 :CN102194831B ,2011-09-21

[4]

氧化物薄膜晶体管结构及制作氧化物薄膜晶体管的方法 [P].

张民杰 .

中国专利 :CN103915507A ,2014-07-09

[5]

氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P].

杨熙正 ;

扈源俊 ;

金娥罗 .

中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03

[6]

氧化物半导体薄膜以及薄膜晶体管 [P].

中山德行 .

中国专利 :CN104685634A ,2015-06-03

[7]

一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管 [P].

宁洪龙 ;

卢宽宽 ;

彭俊彪 ;

姚日晖 ;

胡诗犇 ;

魏靖林 ;

邓宇熹 ;

邓培淼 ;

周尚雄 ;

袁炜健 .

中国专利 :CN108288643A ,2018-07-17

[8]

金属氧化物薄膜晶体管 [P].

叶佳俊 ;

王裕霖 ;

蔡学宏 ;

王旨玄 .

中国专利 :CN103035734A ,2013-04-10

[9]

新型氧化物薄膜晶体管器件 [P].

彭河蒙 ;

潘月宏 ;

罗东向 ;

阳川 ;

张勇 ;

陈柏米 ;

周洋平 .

中国专利 :CN208045513U ,2018-11-02

[10]

氧化物半导体、薄膜晶体管以及制造薄膜晶体管的方法 [P].

姜东勋 ;

宋利宪 ;

朴永洙 ;

金昌桢 ;

李银河 ;

李在喆 .

中国专利 :CN101339954A ,2009-01-07

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