一种Mg氛围退火工艺及N型Mg3Sb2基热电材料的制备方法

被引：0

申请号：

CN202211112117.X

申请日：

2022-09-13

公开(公告)号：

CN115537592A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

李周宛晗宋吉明董德铭梁小龙

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济开发区九龙路111号安徽大学材料科学与工程学院

IPC主分类号：

C22C105

IPC分类号：

C22C1200 C22C3000 B22F904 B22F314 H01L3518 H01L3534 B22F324 C22F102 C22F116

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法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C22C 1/05 申请日:20220913
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种p型Mg3Sb2热电材料的制备方法 [P].

李周 ;

董德铭 ;

宋吉明 ;

宛晗 ;

梁小龙 .

中国专利 :CN114836641A ,2022-08-02

[2]

Mg3Sb2基热电材料的制备方法 [P].

张忻 ;

周子群 ;

刘洪亮 ;

李松浩 ;

郑亮 ;

张久兴 ;

刘燕琴 .

中国专利 :CN105695774A ,2016-06-22

[3]

一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法 [P].

张强 ;

樊建锋 ;

张华 ;

许并社 .

中国专利 :CN107176589B ,2017-09-19

[4]

一种提高Mg3Sb2基热电材料功率因子的方法 [P].

张强 ;

胡良禄 ;

王利飞 ;

樊建锋 ;

陈少平 ;

樊文浩 .

中国专利 :CN115090886A ,2022-09-23

[5]

一种高热电性能n型Mg3Sb2基热电材料及其制备方法 [P].

苗蕾 ;

梁继升 ;

刘呈燕 ;

陈俊良 .

中国专利 :CN112921205B ,2021-06-08

[6]

一种纳米复合结构Mg2Si基热电材料及其制备方法 [P].

张忻 ;

刘洪亮 ;

武鹏旭 ;

路清梅 ;

张久兴 .

中国专利 :CN103700759B ,2014-04-02

[7]

一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法 [P].

赵德刚 ;

吴迪 ;

宁纪爱 ;

左敏 ;

王振卿 .

中国专利 :CN106531879A ,2017-03-22

[8]

一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电薄膜的制备方法 [P].

商红静 ;

丁发柱 ;

古宏伟 ;

张琳 ;

邹琪 .

中国专利 :CN117758223A ,2024-03-26

[9]

一种具有高温稳定性的Mg3Sb2基热电材料及其制备方法 [P].

丁发柱 ;

古宏伟 ;

商红静 ;

黄大兴 ;

谢波玮 ;

高召顺 ;

李太广 ;

邹琪 .

中国专利 :CN113121234A ,2021-07-16

[10]

n-型Mg-Sb基室温热电材料及其制备方法 [P].

刘玮书 ;

舒瑞 ;

朱永滨 ;

冯世达 ;

张双猛 ;

刘勇 .

中国专利 :CN108531795A ,2018-09-14

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