一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311806924.6

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN117758223A

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

商红静丁发柱古宏伟张琳邹琪

申请人：

中国科学院电工研究所

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村北二条6号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

H10N10/853 C23C14/20 C23C14/58 C22C12/00

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

黄明光

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-26	公开	公开
2024-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20231226

共 50 条

[1]

一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法 [P].

邹琪 ;

丁发柱 ;

古宏伟 ;

商红静 ;

黄大兴 ;

谢波玮 ;

张琳 ;

董浩 ;

王锴 .

中国专利 :CN116288202B ,2024-12-06

[2]

一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

陈靖 ;

王世卓 ;

代海洋 ;

王超 ;

张焕君 ;

李涛 ;

张亭亭 .

中国专利 :CN119751064A ,2025-04-04

[3]

一种Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件和Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法 [P].

张倩 ;

尹力 ;

曹峰 ;

毛俊 .

中国专利 :CN118042907A ,2024-05-14

[4]

一种提高Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料功率因子的方法 [P].

张强 ;

胡良禄 ;

王利飞 ;

樊建锋 ;

陈少平 ;

樊文浩 .

中国专利 :CN115090886B ,2024-06-04

[5]

一种Mg<sub>3</sub>(Sb/Bi)<sub>2</sub>基热电材料的致密化方法 [P].

柏胜强 ;

张子铭 ;

宋庆峰 ;

陈立东 .

中国专利 :CN117646129A ,2024-03-05

[6]

一种优化Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>材料热电性能的方法 [P].

张强 ;

高英鹏 ;

王彬杉 ;

翟光美 ;

樊建锋 ;

单召辉 .

中国专利 :CN118389886A ,2024-07-26

[7]

一种n型Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

康慧君 ;

王同敏 ;

闫宇 ;

郭恩宇 ;

陈宗宁 ;

卢一平 ;

接金川 ;

张宇博 ;

曹志强 ;

李廷举 .

中国专利 :CN118324531A ,2024-07-12

[8]

一种高性能的n型Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料、其制备方法及应用 [P].

康慧君 ;

王同敏 ;

姜立峰 ;

陈荣春 ;

郭恩宇 ;

陈宗宁 ;

卢一平 ;

接金川 ;

张宇博 ;

张至柔 ;

王明亮 ;

咸经纬 ;

辛同正 ;

曹志强 ;

李廷举 .

中国专利 :CN120666236A ,2025-09-19

[9]

一种低晶格热导率的n型Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

康慧君 ;

王同敏 ;

姜立峰 ;

郭恩宇 ;

陈宗宁 ;

卢一平 ;

接金川 ;

张宇博 ;

曹志强 ;

李廷举 .

中国专利 :CN118434252A ,2024-08-02

[10]

一种稀土元素掺杂的N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

李周 ;

宋迎庆 ;

宋吉明 ;

陈多 ;

高妍 ;

方娴娴 ;

钱军 ;

徐卿 ;

乐政涛 .

中国专利 :CN119079934A ,2024-12-06

← 1 2 3 4 5 →