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一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310183408.6
申请日：
2023-03-01
公开(公告)号：
CN116288202B
公开(公告)日：
2024-12-06
发明(设计)人：
邹琪 丁发柱 古宏伟 商红静 黄大兴 谢波玮 张琳 董浩 王锴
申请人：
中国科学院电工研究所
申请人地址：
100190 北京市海淀区中关村北二条6号中科院电工所
IPC主分类号：
C23C14/35
IPC分类号：
H10N10/01 H10N10/853 C23C14/18 C23C14/58 B22F9/04 B22F3/14
代理机构：
北京高沃律师事务所 11569
代理人：
黄明光
法律状态：
授权
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-06 授权 授权
共 50 条
[1]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电薄膜的制备方法 [P]. 
商红静 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
张琳 ;
邹琪 .
中国专利 :CN117758223A ,2024-03-26
[2]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件和Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法 [P]. 
张倩 ;
尹力 ;
曹峰 ;
毛俊 .
中国专利 :CN118042907A ,2024-05-14
[3]
一种优化Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>材料热电性能的方法 [P]. 
张强 ;
高英鹏 ;
王彬杉 ;
翟光美 ;
樊建锋 ;
单召辉 .
中国专利 :CN118389886A ,2024-07-26
[4]
一种提高Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料功率因子的方法 [P]. 
张强 ;
胡良禄 ;
王利飞 ;
樊建锋 ;
陈少平 ;
樊文浩 .
中国专利 :CN115090886B ,2024-06-04
[5]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb/Bi)<sub>2</sub>基热电材料的致密化方法 [P]. 
柏胜强 ;
张子铭 ;
宋庆峰 ;
陈立东 .
中国专利 :CN117646129A ,2024-03-05
[6]
一种Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂的Sb<sub>0.7</sub>FeTe<sub>2</sub>热电材料的制备方法 [P]. 
秦丙克 ;
籍永华 ;
雷以柱 ;
白志玲 ;
赵丹 ;
王虎 .
中国专利 :CN120943637A ,2025-11-14
[7]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
陈靖 ;
王世卓 ;
代海洋 ;
王超 ;
张焕君 ;
李涛 ;
张亭亭 .
中国专利 :CN119751064A ,2025-04-04
[8]
一种适用于Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>-Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料的阻挡层及其使用方法 [P]. 
傅赟天 ;
张骐昊 ;
胡忠良 ;
王连军 ;
江莞 .
中国专利 :CN114927609B ,2025-07-25
[9]
一种快速制备Mg<sub>3.2-y</sub>A<sub>x</sub>Sb<sub>z</sub>Bi<sub>2-z</sub>基热电材料的方法 [P]. 
姜鹏 ;
王卫华 ;
包信和 .
中国专利 :CN116855783B ,2025-09-09
[10]
一种Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
刘玮书 ;
冯涛 ;
周子涵 ;
赵浩然 ;
张文清 .
中国专利 :CN119797386A ,2025-04-11
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