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一种Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂的Sb<sub>0.7</sub>FeTe<sub>2</sub>热电材料的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510855664.4
申请日：
2025-06-25
公开(公告)号：
CN120943637A
公开(公告)日：
2025-11-14
发明(设计)人：
秦丙克 籍永华 雷以柱 白志玲 赵丹 王虎
申请人：
六盘水师范学院
申请人地址：
553000 贵州省六盘水市明湖路朝阳新村
IPC主分类号：
C04B35/515
IPC分类号：
H10N10/01 H10N10/852 H10N10/853 C04B35/622 C04B35/645
代理机构：
杭州杭奕专利代理事务所(普通合伙) 33535
代理人：
童杨益
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
贵州省 六盘水市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/515申请日:20250625
2025-11-14 公开 公开
共 50 条
[1]
一种Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合SnTe热电材料的制备方法 [P]. 
宋吉明 ;
徐慧虹 ;
梁小龙 .
中国专利 :CN114824050B ,2025-11-14
[2]
一种优化Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>材料热电性能的方法 [P]. 
张强 ;
高英鹏 ;
王彬杉 ;
翟光美 ;
樊建锋 ;
单召辉 .
中国专利 :CN118389886A ,2024-07-26
[3]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb/Bi)<sub>2</sub>基热电材料的致密化方法 [P]. 
柏胜强 ;
张子铭 ;
宋庆峰 ;
陈立东 .
中国专利 :CN117646129A ,2024-03-05
[4]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件和Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法 [P]. 
张倩 ;
尹力 ;
曹峰 ;
毛俊 .
中国专利 :CN118042907A ,2024-05-14
[5]
一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法 [P]. 
邹琪 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
商红静 ;
黄大兴 ;
谢波玮 ;
张琳 ;
董浩 ;
王锴 .
中国专利 :CN116288202B ,2024-12-06
[6]
一种高取向Bi<sub>2</sub>SeO<sub>2</sub>热电材料的制备方法 [P]. 
李甫 ;
赵健 ;
陈瑞华 .
中国专利 :CN117651467A ,2024-03-05
[7]
一种Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>热电材料及其制备方法 [P]. 
栾巍 ;
刘海强 .
中国专利 :CN120736902A ,2025-10-03
[8]
一种提高Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料功率因子的方法 [P]. 
张强 ;
胡良禄 ;
王利飞 ;
樊建锋 ;
陈少平 ;
樊文浩 .
中国专利 :CN115090886B ,2024-06-04
[9]
p型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电材料的制备方法 [P]. 
吴翊 ;
何海龙 ;
虞珂 ;
纽春萍 ;
荣命哲 ;
田昊洋 .
中国专利 :CN116693292B ,2024-10-01
[10]
Zn<sub>4</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CO<sub>2</sub>CH<sub>2</sub>NH<sub>2</sub>)<sub>2</sub>·H<sub>2</sub>O化合物及其晶体、制备方法和应用 [P]. 
彭广 ;
韩言鸣 ;
叶宁 .
中国专利 :CN119823397A ,2025-04-15
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