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一种Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件和Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311837618.9
申请日：
2023-12-27
公开(公告)号：
CN118042907A
公开(公告)日：
2024-05-14
发明(设计)人：
张倩 尹力 曹峰 毛俊
申请人：
哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）
申请人地址：
518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区
IPC主分类号：
H10N10/01
IPC分类号：
H10N10/853 B22F7/04
代理机构：
深圳青年人专利商标代理有限公司 44350
代理人：
黄桂仕
法律状态：
公开
国省代码：
山东省 威海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-05-14 公开 公开
2024-05-31 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 10/01申请日:20231227
共 50 条
[1]
一种兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法 [P]. 
隋解和 ;
俞志远 ;
郭逢凯 ;
刘紫航 ;
蔡伟 .
中国专利 :CN118475211A ,2024-08-09
[2]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb/Bi)<sub>2</sub>基热电材料的致密化方法 [P]. 
柏胜强 ;
张子铭 ;
宋庆峰 ;
陈立东 .
中国专利 :CN117646129A ,2024-03-05
[3]
Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电器件用Ni基阻挡层的磁控溅射制备方法 [P]. 
罗裕波 ;
杨君友 ;
刘海强 ;
马征 ;
李旺 .
中国专利 :CN117568772A ,2024-02-20
[4]
一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法 [P]. 
邹琪 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
商红静 ;
黄大兴 ;
谢波玮 ;
张琳 ;
董浩 ;
王锴 .
中国专利 :CN116288202B ,2024-12-06
[5]
一种适用于Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>-Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料的阻挡层及其使用方法 [P]. 
傅赟天 ;
张骐昊 ;
胡忠良 ;
王连军 ;
江莞 .
中国专利 :CN114927609B ,2025-07-25
[6]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电薄膜的制备方法 [P]. 
商红静 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
张琳 ;
邹琪 .
中国专利 :CN117758223A ,2024-03-26
[7]
一种Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
刘玮书 ;
冯涛 ;
周子涵 ;
赵浩然 ;
张文清 .
中国专利 :CN119797386A ,2025-04-11
[8]
一种基于Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基单晶热电材料的制冷器件制备方法 [P]. 
毛俊 ;
马晓静 ;
林晨浩 ;
杨恒宇 ;
梁堃 ;
江峰 ;
张倩 ;
曹峰 .
中国专利 :CN119789755A ,2025-04-08
[9]
一种提高Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料功率因子的方法 [P]. 
张强 ;
胡良禄 ;
王利飞 ;
樊建锋 ;
陈少平 ;
樊文浩 .
中国专利 :CN115090886B ,2024-06-04
[10]
复合铁磁性铁单质的Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
徐骉 ;
聂浩楠 ;
付良威 .
中国专利 :CN118055677A ,2024-05-17
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