Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电器件用Ni基阻挡层的磁控溅射制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311747961.4

申请日：

2023-12-19

公开(公告)号：

CN117568772A

公开(公告)日：

2024-02-20

发明(设计)人：

罗裕波杨君友刘海强马征李旺

申请人：

华中科技大学

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/16 C23C14/54

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

许恒恒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省武汉市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20231219
2024-02-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件和Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法 [P].

张倩 ;

尹力 ;

曹峰 ;

毛俊 .

中国专利 :CN118042907A ,2024-05-14

[2]

p型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电材料的制备方法 [P].

吴翊 ;

何海龙 ;

虞珂 ;

纽春萍 ;

荣命哲 ;

田昊洋 .

中国专利 :CN116693292B ,2024-10-01

[3]

一种p型YbMg<sub>2</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

郭沐春 ;

李金博 ;

袁东林 ;

张勤勇 .

中国专利 :CN118851764A ,2024-10-29

[4]

复合铁磁性铁单质的Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

徐骉 ;

聂浩楠 ;

付良威 .

中国专利 :CN118055677A ,2024-05-17

[5]

一种适用于Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>-Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料的阻挡层及其使用方法 [P].

傅赟天 ;

张骐昊 ;

胡忠良 ;

王连军 ;

江莞 .

中国专利 :CN114927609B ,2025-07-25

[6]

一种兼具高化学稳定性和高热电性能的Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法 [P].

隋解和 ;

俞志远 ;

郭逢凯 ;

刘紫航 ;

蔡伟 .

中国专利 :CN118475211A ,2024-08-09

[7]

一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

郭沐春 ;

陈红 ;

孙晨越 ;

张勤勇 .

中国专利 :CN118851763B ,2025-07-15

[8]

一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

郭沐春 ;

陈红 ;

孙晨越 ;

张勤勇 .

中国专利 :CN118851763A ,2024-10-29

[9]

Ag掺杂Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>4</sub>热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法 [P].

胡剑峰 ;

郑丽仙 ;

骆军 .

中国专利 :CN111276597B ,2024-01-19

[10]

一种基于Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基单晶热电材料的制冷器件制备方法 [P].

毛俊 ;

马晓静 ;

林晨浩 ;

杨恒宇 ;

梁堃 ;

江峰 ;

张倩 ;

曹峰 .

中国专利 :CN119789755A ,2025-04-08

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