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一种p型YbMg<sub>2</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410935482.3
申请日
:
2024-07-12
公开(公告)号
:
CN118851764A
公开(公告)日
:
2024-10-29
发明(设计)人
:
郭沐春
李金博
袁东林
张勤勇
申请人
:
西华大学
申请人地址
:
610037 四川省成都市金牛区土桥金周路999号
IPC主分类号
:
C04B35/515
IPC分类号
:
H10N10/853
C04B35/622
C04B35/626
C04B35/63
C04B35/64
代理机构
:
成都正象知识产权代理有限公司 51252
代理人
:
温易娜
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
四川省 成都市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-15
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/515申请日:20240712
2024-10-29
公开
公开
共 50 条
[1]
一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法
[P].
郭沐春
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机构:
西华大学
西华大学
郭沐春
;
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机构:
陈红
;
孙晨越
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机构:
西华大学
西华大学
孙晨越
;
论文数:
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机构:
张勤勇
.
中国专利
:CN118851763B
,2025-07-15
[2]
一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法
[P].
郭沐春
论文数:
0
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机构:
西华大学
西华大学
郭沐春
;
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机构:
陈红
;
孙晨越
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0
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机构:
西华大学
西华大学
孙晨越
;
论文数:
引用数:
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机构:
张勤勇
.
中国专利
:CN118851763A
,2024-10-29
[3]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法
[P].
论文数:
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机构:
陈靖
;
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机构:
王世卓
;
代海洋
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机构:
郑州轻工业大学
郑州轻工业大学
代海洋
;
王超
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机构:
郑州轻工业大学
郑州轻工业大学
王超
;
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机构:
张焕君
;
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机构:
李涛
;
张亭亭
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机构:
郑州轻工业大学
郑州轻工业大学
张亭亭
.
中国专利
:CN119751064A
,2025-04-04
[4]
一种n型Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法
[P].
康慧君
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
康慧君
;
王同敏
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
王同敏
;
闫宇
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
闫宇
;
郭恩宇
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
郭恩宇
;
陈宗宁
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
陈宗宁
;
卢一平
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
卢一平
;
接金川
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
接金川
;
张宇博
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
张宇博
;
曹志强
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
曹志强
;
李廷举
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机构:
大连理工大学
大连理工大学
李廷举
.
中国专利
:CN118324531A
,2024-07-12
[5]
一种P型AgBiSe<sub>2</sub>热电材料及其制备方法
[P].
绳仁龙
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机构:
山东圆坤电子科技股份有限公司
山东圆坤电子科技股份有限公司
绳仁龙
;
刘小村
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机构:
山东圆坤电子科技股份有限公司
山东圆坤电子科技股份有限公司
刘小村
;
田晓凡
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机构:
山东圆坤电子科技股份有限公司
山东圆坤电子科技股份有限公司
田晓凡
;
张庆龙
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机构:
山东圆坤电子科技股份有限公司
山东圆坤电子科技股份有限公司
张庆龙
.
中国专利
:CN119836214A
,2025-04-15
[6]
p型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电材料的制备方法
[P].
吴翊
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机构:
西安交通大学
西安交通大学
吴翊
;
何海龙
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机构:
西安交通大学
西安交通大学
何海龙
;
虞珂
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机构:
西安交通大学
西安交通大学
虞珂
;
纽春萍
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西安交通大学
西安交通大学
纽春萍
;
荣命哲
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机构:
西安交通大学
西安交通大学
荣命哲
;
田昊洋
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机构:
西安交通大学
西安交通大学
田昊洋
.
中国专利
:CN116693292B
,2024-10-01
[7]
复合铁磁性铁单质的Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法
[P].
论文数:
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机构:
徐骉
;
聂浩楠
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机构:
南京理工大学
南京理工大学
聂浩楠
;
付良威
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机构:
南京理工大学
南京理工大学
付良威
.
中国专利
:CN118055677A
,2024-05-17
[8]
Ag掺杂Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>4</sub>热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
胡剑峰
;
论文数:
引用数:
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机构:
郑丽仙
;
论文数:
引用数:
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机构:
骆军
.
中国专利
:CN111276597B
,2024-01-19
[9]
一种Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法
[P].
论文数:
引用数:
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机构:
刘玮书
;
冯涛
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0
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
冯涛
;
周子涵
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
周子涵
;
赵浩然
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机构:
南方科技大学
南方科技大学
赵浩然
;
论文数:
引用数:
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机构:
张文清
.
中国专利
:CN119797386A
,2025-04-11
[10]
一种Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>热电材料及其制备方法
[P].
栾巍
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0
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机构:
黄石弗莱迪尔电子科技有限公司
黄石弗莱迪尔电子科技有限公司
栾巍
;
刘海强
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0
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0
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0
机构:
黄石弗莱迪尔电子科技有限公司
黄石弗莱迪尔电子科技有限公司
刘海强
.
中国专利
:CN120736902A
,2025-10-03
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