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一种Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411695237.6
申请日：
2024-11-25
公开(公告)号：
CN119797386A
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
刘玮书 冯涛 周子涵 赵浩然 张文清
申请人：
南方科技大学
申请人地址：
518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
IPC主分类号：
C01B35/04
IPC分类号：
H10N10/853
代理机构：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人：
孙果
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
山东省 青岛市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C01B 35/04申请日:20241125
2025-04-11 公开 公开
共 50 条
[1]
一种n型Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
康慧君 ;
王同敏 ;
闫宇 ;
郭恩宇 ;
陈宗宁 ;
卢一平 ;
接金川 ;
张宇博 ;
曹志强 ;
李廷举 .
中国专利 :CN118324531A ,2024-07-12
[2]
一种Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>热电材料及其制备方法 [P]. 
栾巍 ;
刘海强 .
中国专利 :CN120736902A ,2025-10-03
[3]
一种p型YbMg<sub>2</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
郭沐春 ;
李金博 ;
袁东林 ;
张勤勇 .
中国专利 :CN118851764A ,2024-10-29
[4]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
陈靖 ;
王世卓 ;
代海洋 ;
王超 ;
张焕君 ;
李涛 ;
张亭亭 .
中国专利 :CN119751064A ,2025-04-04
[5]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件和Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法 [P]. 
张倩 ;
尹力 ;
曹峰 ;
毛俊 .
中国专利 :CN118042907A ,2024-05-14
[6]
一种提高Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料功率因子的方法 [P]. 
张强 ;
胡良禄 ;
王利飞 ;
樊建锋 ;
陈少平 ;
樊文浩 .
中国专利 :CN115090886B ,2024-06-04
[7]
复合铁磁性铁单质的Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
徐骉 ;
聂浩楠 ;
付良威 .
中国专利 :CN118055677A ,2024-05-17
[8]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb/Bi)<sub>2</sub>基热电材料的致密化方法 [P]. 
柏胜强 ;
张子铭 ;
宋庆峰 ;
陈立东 .
中国专利 :CN117646129A ,2024-03-05
[9]
一种优化Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>材料热电性能的方法 [P]. 
张强 ;
高英鹏 ;
王彬杉 ;
翟光美 ;
樊建锋 ;
单召辉 .
中国专利 :CN118389886A ,2024-07-26
[10]
一种适用于Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>-Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料的阻挡层及其使用方法 [P]. 
傅赟天 ;
张骐昊 ;
胡忠良 ;
王连军 ;
江莞 .
中国专利 :CN114927609B ,2025-07-25
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