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一种适用于Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>-Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料的阻挡层及其使用方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210430037.2
申请日：
2022-04-22
公开(公告)号：
CN114927609B
公开(公告)日：
2025-07-25
发明(设计)人：
傅赟天 张骐昊 胡忠良 王连军 江莞
申请人：
东华大学
申请人地址：
201620 上海市松江区人民北路2999号
IPC主分类号：
H10N10/853
IPC分类号：
H10N10/01 B22F9/04 B22F3/105 C25D3/54 C25D3/56 C25D5/54
代理机构：
上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233
代理人：
杨琴
法律状态：
授权
国省代码：
上海市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-25 授权 授权
共 50 条
[1]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件和Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电器件的制备方法 [P]. 
张倩 ;
尹力 ;
曹峰 ;
毛俊 .
中国专利 :CN118042907A ,2024-05-14
[2]
一种Mg<sub>3</sub>(Sb/Bi)<sub>2</sub>基热电材料的致密化方法 [P]. 
柏胜强 ;
张子铭 ;
宋庆峰 ;
陈立东 .
中国专利 :CN117646129A ,2024-03-05
[3]
一种Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
刘玮书 ;
冯涛 ;
周子涵 ;
赵浩然 ;
张文清 .
中国专利 :CN119797386A ,2025-04-11
[4]
一种优化Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>材料热电性能的方法 [P]. 
张强 ;
高英鹏 ;
王彬杉 ;
翟光美 ;
樊建锋 ;
单召辉 .
中国专利 :CN118389886A ,2024-07-26
[5]
一种Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>热电薄膜的制备方法 [P]. 
邹琪 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
商红静 ;
黄大兴 ;
谢波玮 ;
张琳 ;
董浩 ;
王锴 .
中国专利 :CN116288202B ,2024-12-06
[6]
一种提高Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料功率因子的方法 [P]. 
张强 ;
胡良禄 ;
王利飞 ;
樊建锋 ;
陈少平 ;
樊文浩 .
中国专利 :CN115090886B ,2024-06-04
[7]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
陈靖 ;
王世卓 ;
代海洋 ;
王超 ;
张焕君 ;
李涛 ;
张亭亭 .
中国专利 :CN119751064A ,2025-04-04
[8]
一种Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>掺杂的Sb<sub>0.7</sub>FeTe<sub>2</sub>热电材料的制备方法 [P]. 
秦丙克 ;
籍永华 ;
雷以柱 ;
白志玲 ;
赵丹 ;
王虎 .
中国专利 :CN120943637A ,2025-11-14
[9]
一种n型Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
康慧君 ;
王同敏 ;
闫宇 ;
郭恩宇 ;
陈宗宁 ;
卢一平 ;
接金川 ;
张宇博 ;
曹志强 ;
李廷举 .
中国专利 :CN118324531A ,2024-07-12
[10]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电薄膜的制备方法 [P]. 
商红静 ;
丁发柱 ;
古宏伟 ;
张琳 ;
邹琪 .
中国专利 :CN117758223A ,2024-03-26
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