Ag掺杂Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>4</sub>热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010100669.3
申请日
2020-02-17
公开(公告)号
CN111276597B
公开(公告)日
2024-01-19
发明(设计)人
胡剑峰 郑丽仙 骆军
申请人
上海大学
申请人地址
200444 上海市宝山区上大路99号
IPC主分类号
H10N10/852
IPC分类号
H10N10/851 H10N10/01
代理机构
上海上大专利事务所(普通合伙) 31205
代理人
顾勇华
法律状态
授权
国省代码
上海市 市辖区
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共 50 条
[1]
Ag掺杂Cu2SnSe4热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法 [P]. 
胡剑峰 ;
郑丽仙 ;
骆军 .
中国专利 :CN111276597A ,2020-06-12
[2]
一种p型YbMg<sub>2</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
郭沐春 ;
李金博 ;
袁东林 ;
张勤勇 .
中国专利 :CN118851764A ,2024-10-29
[3]
一种Sn掺杂Cu<sub>2</sub>S基热电材料的制备方法 [P]. 
谭红琳 ;
王旭 ;
闫昱玮 .
中国专利 :CN117715495A ,2024-03-15
[4]
一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
郭沐春 ;
陈红 ;
孙晨越 ;
张勤勇 .
中国专利 :CN118851763B ,2025-07-15
[5]
一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
郭沐春 ;
陈红 ;
孙晨越 ;
张勤勇 .
中国专利 :CN118851763A ,2024-10-29
[6]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
陈靖 ;
王世卓 ;
代海洋 ;
王超 ;
张焕君 ;
李涛 ;
张亭亭 .
中国专利 :CN119751064A ,2025-04-04
[7]
一种Cu<sub>1.8</sub>S和Cu<sub>1.96</sub>S复合热电材料及其制备方法 [P]. 
邓元 ;
赵世杰 ;
王博诣 ;
徐惠彬 .
中国专利 :CN119898811A ,2025-04-29
[8]
一种Cu<sub>1.8</sub>S和Cu<sub>1.96</sub>S复合热电材料及其制备方法 [P]. 
邓元 ;
赵世杰 ;
王博诣 ;
徐惠彬 .
中国专利 :CN119898811B ,2025-12-02
[9]
复合铁磁性铁单质的Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
徐骉 ;
聂浩楠 ;
付良威 .
中国专利 :CN118055677A ,2024-05-17
[10]
一种Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
刘玮书 ;
冯涛 ;
周子涵 ;
赵浩然 ;
张文清 .
中国专利 :CN119797386A ,2025-04-11