Ag掺杂Cu2SnSe4热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010100669.3

申请日：

2020-02-17

公开(公告)号：

CN111276597A

公开(公告)日：

2020-06-12

发明(设计)人：

胡剑峰郑丽仙骆军

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

H01L3516

IPC分类号：

H01L3514 H01L3534

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

顾勇华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 35/16 申请日:20200217
2020-06-12	公开	公开

共 50 条

[1]

Ag掺杂Cu<sub>2</sub>SnSe<sub>4</sub>热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法 [P].

胡剑峰 ;

郑丽仙 ;

骆军 .

中国专利 :CN111276597B ,2024-01-19

[2]

一种石墨烯/Cu2AX3型热电复合材料及制备方法 [P].

赵德刚 ;

左敏 ;

王振卿 .

中国专利 :CN104046876A ,2014-09-17

[3]

一种微量Cu掺杂Bi2S3基热电材料 [P].

张波萍 ;

葛振华 ;

于昭新 ;

刘勇 .

中国专利 :CN102280570B ,2011-12-14

[4]

Ag－Pb－Sb－Te热电材料及其制备方法 [P].

李敬锋 ;

王衡 ;

木太拓志 .

中国专利 :CN100391021C ,2006-04-05

[5]

核壳结构Cu1.8S@SiO2热电材料及制备方法 [P].

张波萍 ;

程冬冬 ;

张代兵 ;

王明军 .

中国专利 :CN103979549B ,2014-08-13

[6]

Cu2Se基热电材料及其制备方法 [P].

隋骁阳 ;

詹宜泽 .

中国专利 :CN108011029A ,2018-05-08

[7]

Al掺杂Cu缺位BiCuSeO基热电材料及制备方法 [P].

李安敏 ;

徐飞 ;

程晓鹏 ;

蒙天力 ;

陈翠亭 .

中国专利 :CN110112281B ,2019-08-09

[8]

一种立方相Cu3SbS3基热电材料及其制备方法 [P].

杜保立 ;

徐坚 ;

刘丙国 ;

汪舰 ;

胡保付 .

中国专利 :CN107240637B ,2017-10-10

[9]

一种Cu掺杂的(Bi,Sb)2Te3热电材料的制备方法及其产品 [P].

刘峰铭 ;

李敬锋 ;

蔡博文 .

中国专利 :CN115521148A ,2022-12-27

[10]

In掺杂的Cu-S基热电材料及其制备方法 [P].

赵晓辉 ;

陈海燕 ;

唐志永 ;

陈小源 ;

孙予罕 .

中国专利 :CN111689512A ,2020-09-22

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