In掺杂的Cu-S基热电材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910189274.2

申请日：

2019-03-13

公开(公告)号：

CN111689512A

公开(公告)日：

2020-09-22

发明(设计)人：

赵晓辉陈海燕唐志永陈小源孙予罕

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区海科路99号

IPC主分类号：

C01G312

IPC分类号：

C01G300 H01L3516

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

佟婷婷

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-22	公开	公开
2020-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 3/12 申请日:20190313
2023-01-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G 3/12 申请公布日:20200922

共 50 条

[1]

I掺杂的Cu‑S基热电材料及其制备方法 [P].

陈海燕 ;

赵世杰 ;

杨康 ;

陈小源 .

中国专利 :CN106587135A ,2017-04-26

[2]

一种高热电性能的镍掺杂Cu-S基热电材料及其制备方法 [P].

苗蕾 ;

沈绯红 ;

郑岩岩 ;

刘呈燕 .

中国专利 :CN109904305A ,2019-06-18

[3]

一种Cu-S基复合热电材料及其制备方法 [P].

葛振华 .

中国专利 :CN111269014A ,2020-06-12

[4]

一种纳米晶Cu-S基块体热电材料的制备方法 [P].

张波萍 ;

张瑞 ;

裴俊 ;

聂革 ;

孙强 .

中国专利 :CN110117191A ,2019-08-13

[5]

Ta掺杂的NbCoSn基热电材料及其制备方法 [P].

王晨阳 ;

王钦 ;

黄嘉勉 ;

骆军 .

中国专利 :CN114045425A ,2022-02-15

[6]

Al掺杂Cu缺位BiCuSeO基热电材料及制备方法 [P].

李安敏 ;

徐飞 ;

程晓鹏 ;

蒙天力 ;

陈翠亭 .

中国专利 :CN110112281B ,2019-08-09

[7]

Cu2Se基热电材料及其制备方法 [P].

隋骁阳 ;

詹宜泽 .

中国专利 :CN108011029A ,2018-05-08

[8]

共掺杂Mg-Si-Sn 基热电材料及其制备方法 [P].

陈海燕 ;

林姗姗 ;

王春林 ;

霍德璇 ;

陈小源 ;

赵玲 ;

赵艳 ;

杨康 .

中国专利 :CN104032194A ,2014-09-10

[9]

Ag掺杂Cu2SnSe4热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法 [P].

胡剑峰 ;

郑丽仙 ;

骆军 .

中国专利 :CN111276597A ,2020-06-12

[10]

掺杂改性的SiGe基合金热电材料及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN106555070A ,2017-04-05

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