p型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310661743.2

申请日：

2023-06-06

公开(公告)号：

CN116693292B

公开(公告)日：

2024-10-01

发明(设计)人：

吴翊何海龙虞珂纽春萍荣命哲田昊洋

申请人：

西安交通大学国网上海市电力公司

申请人地址：

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

IPC主分类号：

C04B35/547

IPC分类号：

H10N10/852 H10N10/01 C04B35/622 C04B35/626 C04B35/65

代理机构：

北京中济纬天专利代理有限公司 11429

代理人：

覃婧婵

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种p型YbMg<sub>2</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

郭沐春 ;

李金博 ;

袁东林 ;

张勤勇 .

中国专利 :CN118851764A ,2024-10-29

[2]

一种n型Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

康慧君 ;

王同敏 ;

闫宇 ;

郭恩宇 ;

陈宗宁 ;

卢一平 ;

接金川 ;

张宇博 ;

曹志强 ;

李廷举 .

中国专利 :CN118324531A ,2024-07-12

[3]

一种回收废碲铋合金晶棒制备P型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电材料的方法 [P].

邱瑾 ;

蔡新志 ;

冯潦 ;

童培云 .

中国专利 :CN118619676A ,2024-09-10

[4]

离子研磨制备Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>热电材料EBSD样品的方法 [P].

徐桂宵 ;

郭文斌 ;

丁思琪 ;

李阁平 ;

客洪亮 ;

李诵斌 .

中国专利 :CN119619196A ,2025-03-14

[5]

一种快速制备Mg<sub>3.2-y</sub>A<sub>x</sub>Sb<sub>z</sub>Bi<sub>2-z</sub>基热电材料的方法 [P].

姜鹏 ;

王卫华 ;

包信和 .

中国专利 :CN116855783B ,2025-09-09

[6]

一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

郭沐春 ;

陈红 ;

孙晨越 ;

张勤勇 .

中国专利 :CN118851763B ,2025-07-15

[7]

一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

郭沐春 ;

陈红 ;

孙晨越 ;

张勤勇 .

中国专利 :CN118851763A ,2024-10-29

[8]

一种Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P].

刘玮书 ;

冯涛 ;

周子涵 ;

赵浩然 ;

张文清 .

中国专利 :CN119797386A ,2025-04-11

[9]

一种掺杂的n型Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>热电材料及其制备方法 [P].

唐军 ;

罗凯怡 ;

陈浩文 .

中国专利 :CN118234359A ,2024-06-21

[10]

一种Bi<sub>2</sub>GeTe<sub>4</sub>基热电材料的制备方法 [P].

刘伟迪 ;

史晓磊 ;

李毅仁 ;

刘宏强 ;

田京雷 ;

侯环宇 ;

郝良元 ;

陈志刚 .

中国专利 :CN117729828A ,2024-03-19

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