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一种P型AgBiSe<sub>2</sub>热电材料及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411814728.8
申请日：
2024-12-11
公开(公告)号：
CN119836214A
公开(公告)日：
2025-04-15
发明(设计)人：
绳仁龙 刘小村 田晓凡 张庆龙
申请人：
山东圆坤电子科技股份有限公司
申请人地址：
277000 山东省枣庄市薛城区常庄四路浙大医疗园3号楼2楼
IPC主分类号：
H10N10/853
IPC分类号：
H10N10/852 H10N10/01 C01B19/00
代理机构：
山东菩勤专利代理有限公司 37343
代理人：
李楠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-15 公开 公开
2025-05-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 10/853申请日:20241211
共 50 条
[1]
一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
郭沐春 ;
陈红 ;
孙晨越 ;
张勤勇 .
中国专利 :CN118851763B ,2025-07-15
[2]
一种p型CaMg<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
郭沐春 ;
陈红 ;
孙晨越 ;
张勤勇 .
中国专利 :CN118851763A ,2024-10-29
[3]
一种p型YbMg<sub>2</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
郭沐春 ;
李金博 ;
袁东林 ;
张勤勇 .
中国专利 :CN118851764A ,2024-10-29
[4]
一种N型Mg<sub>3</sub>Sb<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
陈靖 ;
王世卓 ;
代海洋 ;
王超 ;
张焕君 ;
李涛 ;
张亭亭 .
中国专利 :CN119751064A ,2025-04-04
[5]
一种n型Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
康慧君 ;
王同敏 ;
闫宇 ;
郭恩宇 ;
陈宗宁 ;
卢一平 ;
接金川 ;
张宇博 ;
曹志强 ;
李廷举 .
中国专利 :CN118324531A ,2024-07-12
[6]
铝掺杂AgBiSe<sub>2</sub>纳米材料及其制备方法 [P]. 
娄悦 ;
施懿凡 ;
徐骉 .
中国专利 :CN114975760B ,2025-07-22
[7]
一种低晶格热导率的n型Mg<sub>3</sub>(Sb,Bi)<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
康慧君 ;
王同敏 ;
姜立峰 ;
郭恩宇 ;
陈宗宁 ;
卢一平 ;
接金川 ;
张宇博 ;
曹志强 ;
李廷举 .
中国专利 :CN118434252A ,2024-08-02
[8]
一种热电材料及其制备方法 [P]. 
罗中箴 ;
李萌 ;
邱宇 ;
明洪蔚 ;
邹志刚 .
中国专利 :CN120903940A ,2025-11-07
[9]
一种n型BiSbSe<sub>3</sub>基热电材料及其制备方法和应用 [P]. 
康慧君 ;
王同敏 ;
史晓伟 ;
陈宗宁 ;
郭恩宇 ;
卢一平 ;
接金川 ;
张宇博 ;
曹志强 ;
李廷举 .
中国专利 :CN118354653A ,2024-07-16
[10]
一种Mg<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>基热电材料及其制备方法 [P]. 
刘玮书 ;
冯涛 ;
周子涵 ;
赵浩然 ;
张文清 .
中国专利 :CN119797386A ,2025-04-11
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