信息记录介质及其制造方法、和用于形成信息记录介质的溅射靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780031899.1

申请日：

2007-10-26

公开(公告)号：

CN101511598B

公开(公告)日：

2009-08-19

发明(设计)人：

土生田晴比古山田升

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

B41M526

IPC分类号：

C23C1408 G11B724 G11B7243

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-19	公开	公开
2011-10-12	授权	授权

共 50 条

[1]

信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶 [P].

西原孝史 ;

儿岛理惠 ;

山田升 ;

松永利之 .

中国专利 :CN101522431A ,2009-09-02

[2]

溅射靶和光信息记录介质及其制造方法 [P].

高见英生 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN1965100B ,2007-05-16

[3]

溅射靶和光信息记录介质及其制造方法 [P].

高见英生 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN1918319A ,2007-02-21

[4]

溅射靶和光信息记录介质及其制造方法 [P].

高见英生 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN1926258B ,2007-03-07

[5]

信息记录介质及其制造方法、以及溅射靶 [P].

槌野晶夫 ;

儿岛理惠 ;

会田和辉 .

中国专利 :CN110313032A ,2019-10-08

[6]

溅射靶及光信息记录介质及其制造方法 [P].

高见英生 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN100340698C ,2005-06-01

[7]

记录层、光信息记录介质、溅射靶 [P].

田内裕基 .

中国专利 :CN109493887B ,2019-03-19

[8]

溅射靶、光信息记录介质以及光信息记录介质用薄膜的制造方法 [P].

高见英生 ;

矢作政隆 .

中国专利 :CN100558930C ,2007-02-21

[9]

信息记录介质及其制造方法、溅射靶和成膜装置 [P].

高冈友康 ;

西原孝史 ;

儿岛理惠 .

中国专利 :CN101636278A ,2010-01-27

[10]

光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶 [P].

田内裕基 ;

志田阳子 ;

三木刚 ;

曾根康宏 .

中国专利 :CN102640219A ,2012-08-15

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