发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110087736.3

申请日：

2011-04-08

公开(公告)号：

CN102738337B

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

黄嘉宏凃博闵黄世晟杨顺贵

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3306 H01L3300

代理机构：

深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334

代理人：

谢志为

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101722568207 IPC(主分类):H01L 33/22 专利号:ZL2011100877363 申请日:20110408 授权公告日:20150204 终止日期:20160408
2015-02-04	授权	授权
2012-10-17	公开	公开
2012-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101363517954 IPC(主分类):H01L 33/22 专利申请号:2011100877363 申请日:20110408

共 50 条

[1]

发光二极管及其制造方法 [P].

藤仓序章 ;

中山智 .

中国专利 :CN1877874A ,2006-12-13

[2]

发光二极管及其制造方法 [P].

郑锦坚 ;

丘金金 ;

高默然 ;

邬元杰 ;

常亮 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115692565A ,2023-02-03

[3]

红外发光二极管及其制造方法 [P].

廖寅生 ;

李森林 ;

毕京锋 ;

王亚宏 ;

薛龙 ;

赖玉财 ;

谢岚驰 .

中国专利 :CN115548186A ,2022-12-30

[4]

发光二极管及其制造方法 [P].

吴永胜 ;

林新 ;

林昌江 .

中国专利 :CN110021689A ,2019-07-16

[5]

发光二极管及其制造方法 [P].

赵炳求 .

中国专利 :CN102714263A ,2012-10-03

[6]

发光二极管及其制造方法 [P].

张汝京 .

中国专利 :CN102064252A ,2011-05-18

[7]

发光二极管及其制造方法 [P].

李淼 .

中国专利 :CN102185054A ,2011-09-14

[8]

发光二极管及其制造方法 [P].

吴琼 .

中国专利 :CN108091747A ,2018-05-29

[9]

发光二极管及其制造方法 [P].

李淼 .

中国专利 :CN102185053A ,2011-09-14

[10]

发光二极管及其制造方法 [P].

李家铭 ;

叶念慈 ;

张翔思 ;

吕坤圃 ;

陈晋毅 .

中国专利 :CN103219433A ,2013-07-24

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