红外发光二极管及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202211202297.0

申请日：

2022-09-29

公开(公告)号：

CN115548186A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

廖寅生李森林毕京锋王亚宏薛龙赖玉财谢岚驰

申请人：

申请人地址：

361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3306 H01L3312 H01L3330 H01L3300

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

郑星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20220929
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管及其制造方法 [P].

藤仓序章 ;

中山智 .

中国专利 :CN1877874A ,2006-12-13

[2]

发光二极管及其制造方法 [P].

黄嘉宏 ;

凃博闵 ;

黄世晟 ;

杨顺贵 .

中国专利 :CN102738337B ,2012-10-17

[3]

发光二极管及其制造方法 [P].

郑锦坚 ;

丘金金 ;

高默然 ;

邬元杰 ;

常亮 ;

毕京锋 .

中国专利 :CN115692565A ,2023-02-03

[4]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN113380930B ,2021-09-10

[5]

发光二极管及其制造方法 [P].

吴永胜 ;

林新 ;

林昌江 .

中国专利 :CN110021689A ,2019-07-16

[6]

发光二极管及其制造方法 [P].

赵炳求 .

中国专利 :CN102714263A ,2012-10-03

[7]

发光二极管及其制造方法 [P].

张汝京 .

中国专利 :CN102064252A ,2011-05-18

[8]

发光二极管及其制造方法 [P].

李淼 .

中国专利 :CN102185054A ,2011-09-14

[9]

发光二极管及其制造方法 [P].

吴琼 .

中国专利 :CN108091747A ,2018-05-29

[10]

发光二极管及其制造方法 [P].

李淼 .

中国专利 :CN102185053A ,2011-09-14

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