深紫外发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110656123.0

申请日：

2021-06-11

公开(公告)号：

CN113380930B

公开(公告)日：

2021-09-10

发明(设计)人：

郑锦坚毕京锋高默然范伟宏曾家明张成军

申请人：

申请人地址：

361012 福建省厦门市海沧区兰英路99号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3306 H01L3312 H01L3300

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

刘畅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/04 申请日:20210611
2022-08-19	授权	授权
2021-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

李东昇 ;

张晓平 ;

马新刚 ;

高默然 ;

赵进超 .

中国专利 :CN112510126B ,2021-03-16

[2]

深紫外发光二极管 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN215118929U ,2021-12-10

[3]

紫外发光二极管及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

李东昇 ;

马新刚 ;

赵进超 ;

李超 ;

高默然 .

中国专利 :CN112038455B ,2020-12-04

[4]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

姚禹 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108538976A ,2018-09-14

[5]

深紫外发光二极管及其制作方法 [P].

姚禹 ;

郑远志 ;

康建 ;

陈向东 .

中国专利 :CN113421953B ,2021-09-21

[6]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177B ,2024-06-21

[7]

红外发光二极管及其制造方法 [P].

廖寅生 ;

李森林 ;

毕京锋 ;

王亚宏 ;

薛龙 ;

赖玉财 ;

谢岚驰 .

中国专利 :CN115548186A ,2022-12-30

[8]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177A ,2022-12-30

[9]

发光二极管及其制造方法 [P].

藤仓序章 ;

中山智 .

中国专利 :CN1877874A ,2006-12-13

[10]

发光二极管及其制造方法 [P].

黄嘉宏 ;

凃博闵 ;

黄世晟 ;

杨顺贵 .

中国专利 :CN102738337B ,2012-10-17

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