深紫外发光二极管及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211247583.9

申请日：

2022-10-12

公开(公告)号：

CN115548177A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

许佼刘宇航王留毅郭登极王序进郭镇斌林建军杨云

申请人：

申请人地址：

518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3312 H01L3326 H01L3302 H01L3300

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

曹柳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	公开	公开
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/04 申请日:20221012

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177B ,2024-06-21

[2]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

姚禹 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108538976A ,2018-09-14

[3]

紫外发光二极管及其制备方法 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

程金连 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116053370B ,2025-10-31

[4]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115714155B ,2025-10-31

[5]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17

[6]

垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

王永进 ;

蒋元 .

中国专利 :CN111106212A ,2020-05-05

[7]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN113380930B ,2021-09-10

[8]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

李东昇 ;

张晓平 ;

马新刚 ;

高默然 ;

赵进超 .

中国专利 :CN112510126B ,2021-03-16

[9]

一种深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

刘超 ;

刘梦然 .

中国专利 :CN114464711B ,2024-06-25

[10]

一种深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

刘超 ;

刘梦然 .

中国专利 :CN114464711A ,2022-05-10

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