垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911364817.6

申请日：

2019-12-26

公开(公告)号：

CN111106212A

公开(公告)日：

2020-05-05

发明(设计)人：

王永进蒋元

申请人：

申请人地址：

210019 江苏省南京市建邺区嘉陵江东街8号B4幢4层三单元

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3314 H01L3300

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤;陈丽丽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/06 申请公布日:20200505
2020-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20191226
2020-05-05	公开	公开

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177B ,2024-06-21

[2]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177A ,2022-12-30

[3]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115714155B ,2025-10-31

[4]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17

[5]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

姚禹 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108538976A ,2018-09-14

[6]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN113380930B ,2021-09-10

[7]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

李东昇 ;

张晓平 ;

马新刚 ;

高默然 ;

赵进超 .

中国专利 :CN112510126B ,2021-03-16

[8]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115986020B ,2025-08-05

[9]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116387420B ,2024-07-16

[10]

一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

崔志勇 ;

尉尊康 ;

李勇强 ;

郭凯 ;

薛建凯 ;

张向鹏 ;

张晓娜 ;

王雪 .

中国专利 :CN112310255A ,2021-02-02

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