一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011216444.0

申请日：

2020-11-04

公开(公告)号：

CN112310255A

公开(公告)日：

2021-02-02

发明(设计)人：

崔志勇尉尊康李勇强郭凯薛建凯张向鹏张晓娜王雪

申请人：

申请人地址：

046000 山西省长治市高新区漳泽新型工业园区

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3324 H01L3338 H01L3300

代理机构：

北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390

代理人：

张宏伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-02	公开	公开
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/22 申请日:20201104

共 50 条

[1]

垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

王永进 ;

蒋元 .

中国专利 :CN111106212A ,2020-05-05

[2]

一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

崔志勇 ;

尉尊康 ;

李勇强 ;

郭凯 ;

薛建凯 ;

张向鹏 ;

张晓娜 ;

王雪 .

中国专利 :CN112310255B ,2024-12-31

[3]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177B ,2024-06-21

[4]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177A ,2022-12-30

[5]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

姚禹 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108538976A ,2018-09-14

[6]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

李东昇 ;

张晓平 ;

马新刚 ;

高默然 ;

赵进超 .

中国专利 :CN112510126B ,2021-03-16

[7]

蛾眼结构深紫外发光二极管及制备方法 [P].

张爽 ;

王帅 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN109599469A ,2019-04-09

[8]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115832131B ,2025-10-17

[9]

一种深紫外发光二极管及其制备方法、芯片 [P].

唐先胜 ;

刘宇坤 ;

王兆伟 ;

韩丽丽 ;

宫卫华 ;

李仕龙 ;

王舒蒙 .

中国专利 :CN118712295A ,2024-09-27

[10]

一种深紫外发光二极管及其制备方法、芯片 [P].

唐先胜 ;

刘宇坤 ;

王兆伟 ;

韩丽丽 ;

宫卫华 ;

李仕龙 ;

王舒蒙 .

中国专利 :CN118712295B ,2024-11-22

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