紫外发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310171948.2

申请日：

2023-02-27

公开(公告)号：

CN116053370B

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

舒俊程龙高虹郑文杰印从飞程金连张彩霞刘春杨胡加辉金从龙

申请人：

江西兆驰半导体有限公司

申请人地址：

330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

IPC主分类号：

H10H20/812

IPC分类号：

H10H20/816 H10H20/825 H10H20/01

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

李素兰

法律状态：

授权

国省代码：

河北省保定市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	授权	授权

共 50 条

[1]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177B ,2024-06-21

[2]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177A ,2022-12-30

[3]

紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117650211A ,2024-03-05

[4]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117476834A ,2024-01-30

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

舒俊 ;

程龙 ;

高虹 ;

郑文杰 ;

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117476834B ,2024-03-22

[6]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN113380930B ,2021-09-10

[7]

AlGaInPAs基发光二极管及其制备方法 [P].

陈万军 ;

谢志文 ;

陈铭胜 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119545984A ,2025-02-28

[8]

紫外发光二极管及其制造方法 [P].

范伟宏 ;

李东昇 ;

马新刚 ;

赵进超 ;

李超 ;

高默然 .

中国专利 :CN112038455B ,2020-12-04

[9]

一种紫外发光二极管及其制备方法 [P].

霍瑞霞 ;

崔志勇 ;

薛建凯 ;

郭凯 .

中国专利 :CN110649130A ,2020-01-03

[10]

一种紫外发光二极管及其制备方法 [P].

霍瑞霞 ;

崔志勇 ;

薛建凯 ;

郭凯 .

中国专利 :CN110649130B ,2024-03-29

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