一种深紫外发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111677534.4

申请日：

2021-12-31

公开(公告)号：

CN114464711B

公开(公告)日：

2024-06-25

发明(设计)人：

刘超刘梦然

申请人：

山东大学

申请人地址：

250199 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

H01L33/14

IPC分类号：

H01L33/12 H01L33/32 H01L33/00

代理机构：

济南金迪知识产权代理有限公司 37219

代理人：

王楠

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

刘超 ;

刘梦然 .

中国专利 :CN114464711A ,2022-05-10

[2]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177B ,2024-06-21

[3]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

许佼 ;

刘宇航 ;

王留毅 ;

郭登极 ;

王序进 ;

郭镇斌 ;

林建军 ;

杨云 .

中国专利 :CN115548177A ,2022-12-30

[4]

深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

姚禹 ;

郑远志 ;

陈向东 ;

梁旭东 .

中国专利 :CN108538976A ,2018-09-14

[5]

一种深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

李述体 ;

卢云姝 ;

李国新 .

中国专利 :CN119092612A ,2024-12-06

[6]

一种深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

吴志浩 ;

方妍妍 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN103682012A ,2014-03-26

[7]

一种深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

张紫辉 ;

邵华 ;

张勇辉 .

中国专利 :CN112885933A ,2021-06-01

[8]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

程龙 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN115986020B ,2025-08-05

[9]

深紫外发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116387420B ,2024-07-16

[10]

深紫外发光二极管及其制造方法 [P].

郑锦坚 ;

毕京锋 ;

高默然 ;

范伟宏 ;

曾家明 ;

张成军 .

中国专利 :CN113380930B ,2021-09-10

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