制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110162639.X

申请日：

2021-02-05

公开(公告)号：

CN113314428A

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

佐藤嘉昭椀泽光伸松本明出口善宣齐藤健太郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L23488 H01L2711517

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

黄倩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	公开	公开
2023-01-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20210205

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

佐藤嘉昭 ;

椀泽光伸 ;

松本明 ;

出口善宣 ;

齐藤健太郎 .

日本专利 :CN113314428B ,2025-12-09

[2]

制造半导体器件的方法 [P].

川嶋祥之 ;

吉田省史 .

中国专利 :CN105489557A ,2016-04-13

[3]

制造半导体器件的方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN105914211A ,2016-08-31

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

鸣海俊一 .

中国专利 :CN108336089A ,2018-07-27

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

塚本惠介 ;

三原龙善 .

中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤英纪 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN1574298A ,2005-02-02

[8]

半导体器件、半导体晶片及半导体器件的制造方法 [P].

吉泽和隆 ;

江间泰示 ;

森木拓也 .

中国专利 :CN104934407A ,2015-09-23

[9]

半导体器件的制造方法、半导体晶片及半导体器件 [P].

大冢敏志 .

中国专利 :CN1701418A ,2005-11-23

[10]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

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