具有包括交错主位线的分级位线结构的半导体存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98122406.7

申请日：

1998-11-17

公开(公告)号：

CN1224974C

公开(公告)日：

1999-06-23

发明(设计)人：

桐畑敏明格哈德·米勒

申请人：

申请人地址：

联邦德国慕尼黑

IPC主分类号：

G11C1140

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

黄敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-10-26	授权	授权
2000-11-01	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2018-12-11	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):G11C 11/40 申请日:19981117 授权公告日:20051026
1999-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

具有不均匀局部位线的分级位线结构的半导体存储器 [P].

格哈德·米勒 ;

海因茨·霍尼格施密德 .

中国专利 :CN1218960A ,1999-06-09

[2]

具有分级位线结构的半导体存储器件 [P].

鹤田孝弘 ;

筑出正树 .

中国专利 :CN1141508A ,1997-01-29

[3]

具有分段单元位线的半导体存储器器件 [P].

林周元 ;

徐宁焄 ;

金尚玧 .

韩国专利 :CN117594078A ,2024-02-23

[4]

具有交指型位线结构的半导体存储器阵列 [P].

赵秀仁 ;

徐东一 ;

黄泓善 .

中国专利 :CN1022146C ,1991-07-10

[5]

位线结构和半导体存储器 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN113451270A ,2021-09-28

[6]

具有分层位线和/或字线结构的半导体存储器 [P].

格哈德·米勒 ;

桐畑敏明 ;

王欣 .

中国专利 :CN1220466A ,1999-06-23

[7]

包括位线柱的存储器 [P].

金东奎 ;

金渊国 ;

严浩锡 ;

元炯植 ;

李桢埈 ;

千浚豪 .

韩国专利 :CN120496596A ,2025-08-15

[8]

有用改进位线预充电系统的分层位线结构的半导体存储器 [P].

筑出正树 ;

鹤田孝弘 .

中国专利 :CN1143251A ,1997-02-19

[9]

半导体存储器及检测其位线的方法 [P].

李炫锡 ;

崔钟贤 ;

千基喆 ;

李宗彦 .

中国专利 :CN1747063A ,2006-03-15

[10]

半导体存储器装置的位线控制电路 [P].

姜吉沃 .

中国专利 :CN1941190A ,2007-04-04

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