具有分级位线结构的半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96102034.2

申请日：

1996-02-15

公开(公告)号：

CN1141508A

公开(公告)日：

1997-01-29

发明(设计)人：

鹤田孝弘筑出正树

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2710 G11C1134

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜日新

法律状态：

专利权的终止未缴年费专利权终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-25	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-01-29	公开	公开
2002-04-03	授权	授权
1997-04-09	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

形成半导体存储器件位线的方法 [P].

郑哲谟 ;

赵挥元 ;

金正根 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101140900A ,2008-03-12

[2]

具有密集间隔的位线的半导体存储器件 [P].

李载悳 ;

林泳雨 .

中国专利 :CN106449595B ,2017-02-22

[3]

半导体存储器件 [P].

朴基喆 ;

金基雄 ;

石瀚率 ;

权炳昊 ;

尹普彦 .

中国专利 :CN109494236A ,2019-03-19

[4]

半导体存储器件 [P].

长野能久 ;

田中圭介 ;

那须彻 .

中国专利 :CN1126175C ,2000-06-21

[5]

半导体存储器件 [P].

李泓浚 ;

金熙中 ;

李泫珍 ;

蔡熙载 .

韩国专利 :CN120076318A ,2025-05-30

[6]

半导体存储器件 [P].

朴基喆 ;

金基雄 ;

石瀚率 ;

权炳昊 ;

尹普彦 .

韩国专利 :CN109494236B ,2024-05-28

[7]

半导体存储器件 [P].

柳明植 ;

李硕宰 ;

金暻旻 ;

金东建 ;

朴相昱 ;

白寅硕 ;

元福渊 ;

尹钟文 .

韩国专利 :CN120226080A ,2025-06-27

[8]

具有包括交错主位线的分级位线结构的半导体存储器 [P].

桐畑敏明 ;

格哈德·米勒 .

中国专利 :CN1224974C ,1999-06-23

[9]

防位线氧化的半导体存储器件制造方法及半导体存储器件 [P].

朴泳雨 ;

卢俊镛 ;

具本荣 ;

姜昌珍 ;

郑澈 ;

南硕佑 .

中国专利 :CN1202003A ,1998-12-16

[10]

半导体存储器件与半导体存储器件的制造方法 [P].

赵文礼 .

中国专利 :CN115101525A ,2022-09-23

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