形成半导体存储器件位线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710088223.8

申请日：

2007-03-15

公开(公告)号：

CN101140900A

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

郑哲谟赵挥元金正根洪承希

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道利川市

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21321 H01L213213

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

顾晋伟;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-12	公开	公开
2010-02-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

朴基喆 ;

金基雄 ;

石瀚率 ;

权炳昊 ;

尹普彦 .

中国专利 :CN109494236A ,2019-03-19

[2]

半导体存储器件 [P].

朴基喆 ;

金基雄 ;

石瀚率 ;

权炳昊 ;

尹普彦 .

韩国专利 :CN109494236B ,2024-05-28

[3]

半导体存储器件以及形成半导体存储器件的方法 [P].

金振均 ;

李明范 ;

黄棋铉 .

中国专利 :CN101847602A ,2010-09-29

[4]

防位线氧化的半导体存储器件制造方法及半导体存储器件 [P].

朴泳雨 ;

卢俊镛 ;

具本荣 ;

姜昌珍 ;

郑澈 ;

南硕佑 .

中国专利 :CN1202003A ,1998-12-16

[5]

具有分级位线结构的半导体存储器件 [P].

鹤田孝弘 ;

筑出正树 .

中国专利 :CN1141508A ,1997-01-29

[6]

形成半导体存储器件的方法 [P].

张钦福 ;

冯立伟 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN113241324A ,2021-08-10

[7]

形成半导体存储器件隔离层的方法 [P].

赵挥元 ;

赵种慧 .

中国专利 :CN101471281B ,2009-07-01

[8]

半导体存储器件的位线检测电路及其方法 [P].

李相菩 .

中国专利 :CN1110817C ,1996-05-01

[9]

形成半导体存储器件导线的方法 [P].

禹元植 .

中国专利 :CN102315159A ,2012-01-11

[10]

形成半导体器件位线的方法 [P].

郑哲谟 ;

赵挥元 ;

金恩洙 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101097886A ,2008-01-02

← 1 2 3 4 5 →