形成半导体存储器件导线的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010614788.7

申请日：

2010-12-30

公开(公告)号：

CN102315159A

公开(公告)日：

2012-01-11

发明(设计)人：

禹元植

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L213213

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

郭放;张文

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101711923685 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010106147887 申请公布日:20120111
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101403728243 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010106147887 申请日:20101230
2012-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器件以及形成半导体存储器件的方法 [P].

金振均 ;

李明范 ;

黄棋铉 .

中国专利 :CN101847602A ,2010-09-29

[2]

半导体存储器件 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101933137B ,2010-12-29

[3]

形成半导体存储器件的方法 [P].

张钦福 ;

冯立伟 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN113241324A ,2021-08-10

[4]

半导体存储器件的制造方法及半导体存储器件 [P].

宓筠婕 ;

林宏益 .

中国专利 :CN112786526A ,2021-05-11

[5]

制造半导体存储器件的方法 [P].

金真范 .

韩国专利 :CN119835936A ,2025-04-15

[6]

形成半导体存储器件位线的方法 [P].

郑哲谟 ;

赵挥元 ;

金正根 ;

洪承希 .

中国专利 :CN101140900A ,2008-03-12

[7]

半导体存储器件 [P].

和气宏树 .

中国专利 :CN1542859A ,2004-11-03

[8]

半导体存储器件 [P].

只木芳隆 ;

村田纯 ;

关口敏宏 ;

青木英雄 ;

川北惠三 ;

内山博之 ;

西村美智夫 ;

田中道夫 ;

江崎佑治 ;

齐藤和彦 ;

汤原克夫 ;

赵成洙 .

中国专利 :CN1303693C ,2004-10-27

[9]

半导体存储器件 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101911286A ,2010-12-08

[10]

半导体存储器件 [P].

顾靖 ;

张博 ;

张雄 ;

孔蔚然 .

中国专利 :CN101447489A ,2009-06-03

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