半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280102210.4

申请日：

2022-12-06

公开(公告)号：

CN120226080A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

柳明植李硕宰金暻旻金东建朴相昱白寅硕元福渊尹钟文

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国

IPC主分类号：

G11C11/408

IPC分类号：

G11C8/14 H10B12/00

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

李敬文;吴晓兵

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 11/408申请日:20221206

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

朴基喆 ;

金基雄 ;

石瀚率 ;

权炳昊 ;

尹普彦 .

中国专利 :CN109494236A ,2019-03-19

[2]

半导体存储器件 [P].

长野能久 ;

田中圭介 ;

那须彻 .

中国专利 :CN1126175C ,2000-06-21

[3]

半导体存储器件 [P].

金瑜辰 ;

韩珍优 ;

刘宝元 .

韩国专利 :CN120916428A ,2025-11-07

[4]

半导体存储器件 [P].

加藤好治 ;

小村一史 ;

川本悟 .

中国专利 :CN1822213A ,2006-08-23

[5]

半导体存储器件 [P].

朴乾雨 ;

姜奎彰 .

韩国专利 :CN119964615A ,2025-05-09

[6]

半导体存储器件 [P].

李泓浚 ;

金熙中 ;

李泫珍 ;

蔡熙载 .

韩国专利 :CN120076318A ,2025-05-30

[7]

半导体存储器件 [P].

金坰甫 ;

金贤贞 ;

金颂 .

中国专利 :CN115548019A ,2022-12-30

[8]

半导体存储器件 [P].

朴乾雨 ;

姜奎彰 .

韩国专利 :CN120264751A ,2025-07-04

[9]

半导体存储器件 [P].

朴基喆 ;

金基雄 ;

石瀚率 ;

权炳昊 ;

尹普彦 .

韩国专利 :CN109494236B ,2024-05-28

[10]

半导体存储器件 [P].

大塚英文 ;

大田清人 ;

藤本知则 .

中国专利 :CN1627444A ,2005-06-15

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