半导体存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510070649.9

申请日：

2025-01-16

公开(公告)号：

CN120916428A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

金瑜辰韩珍优刘宝元

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

H10B63/10 H10B61/00

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴晓兵;倪斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储器件 [P].

朴乾雨 ;

姜奎彰 .

韩国专利 :CN119964615A ,2025-05-09

[2]

半导体存储器件 [P].

金坰甫 ;

金贤贞 ;

金颂 .

中国专利 :CN115548019A ,2022-12-30

[3]

半导体存储器件 [P].

朴乾雨 ;

姜奎彰 .

韩国专利 :CN120264751A ,2025-07-04

[4]

半导体存储器件 [P].

柳明植 ;

李硕宰 ;

金暻旻 ;

金东建 ;

朴相昱 ;

白寅硕 ;

元福渊 ;

尹钟文 .

韩国专利 :CN120226080A ,2025-06-27

[5]

半导体存储器件 [P].

山上由展 .

中国专利 :CN100337283C ,2003-12-10

[6]

半导体存储器件及用于控制半导体存储器件的方法 [P].

小泽敬 .

中国专利 :CN103632716A ,2014-03-12

[7]

半导体存储器件 [P].

高桥弘行 ;

稻叶秀雄 ;

园田正俊 ;

加藤义之 ;

中川敦 .

中国专利 :CN1416574A ,2003-05-07

[8]

半导体存储器件 [P].

金东槿 .

中国专利 :CN100580807C ,2007-04-04

[9]

半导体存储器件 [P].

加藤好治 ;

小村一史 ;

川本悟 .

中国专利 :CN1822213A ,2006-08-23

[10]

半导体存储器件 [P].

大塚英文 ;

大田清人 ;

藤本知则 .

中国专利 :CN1627444A ,2005-06-15

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