铁电体晶体管及存储单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00813472.3

申请日：

2000-09-29

公开(公告)号：

CN1192438C

公开(公告)日：

2002-10-23

发明(设计)人：

R·斯坦格尔 H·雷辛格 T·汉德 H·巴奇霍弗

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

黄力行

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-03-09	授权	授权
2002-10-23	公开	公开
2016-02-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727515426 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL008134723 登记生效日:20160114 变更事项:专利权人变更前权利人:奇梦达股份公司变更后权利人:英飞凌科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:德国慕尼黑变更后权利人:德国瑙伊比贝尔格市
2002-10-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-07-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101627830560 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL008134723 变更事项:专利权人变更前权利人:英飞凌科技股份有限公司变更后权利人:奇梦达股份公司变更事项:地址变更前权利人:德国慕尼黑变更后权利人:德国慕尼黑登记生效日:20130619
2018-09-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20000929 授权公告日:20050309 终止日期:20170929
2013-07-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101627830559 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL008134723 变更事项:专利权人变更前:因芬尼昂技术股份公司变更后:英飞凌科技股份有限公司变更事项:地址变更前:德国慕尼黑变更后:德国慕尼黑

共 50 条

[1]

晶体管及存储单元阵列 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207852674U ,2018-09-11

[2]

晶体管及存储单元阵列 [P].

T·施洛瑟 .

中国专利 :CN101174648A ,2008-05-07

[3]

晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法 [P].

M·波普 ;

T·舒斯特 ;

J·福尔 ;

J·韩恩 .

中国专利 :CN1983638A ,2007-06-20

[4]

多晶体管存储单元 [P].

杜山·高鲁波维奇 .

中国专利 :CN102187460A ,2011-09-14

[5]

晶体管、存储单元阵列以及制造晶体管的方法 [P].

约翰内斯·冯·克卢格 ;

斯特凡·特根 .

中国专利 :CN101140950A ,2008-03-12

[6]

MOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路 [P].

甘正浩 ;

冯军宏 .

中国专利 :CN103515434A ,2014-01-15

[7]

MOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路 [P].

甘正浩 ;

洪中山 ;

冯军宏 .

中国专利 :CN103515435B ,2014-01-15

[8]

NMOS晶体管及其形成方法、SRAM存储单元电路 [P].

冯军宏 ;

甘正浩 .

中国专利 :CN103515433A ,2014-01-15

[9]

晶体管、存储单元以及制作晶体管的方法 [P].

P·－F·王 ;

R·韦斯 ;

J·纽特泽尔 ;

A·肖尔茨 ;

A·西克克 ;

S·泽纳 .

中国专利 :CN101013698A ,2007-08-08

[10]

晶体管结构及存储单元阵列 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207852681U ,2018-09-11

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