晶体管及存储单元阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710148088.1

申请日：

2007-09-10

公开(公告)号：

CN101174648A

公开(公告)日：

2008-05-07

发明(设计)人：

T·施洛瑟

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2910 H01L27108 H01L23522 H01L21336 H01L2128 H01L218242 H01L21768

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

章社杲;吴贵明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-05-07	公开	公开
2018-08-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20070910 授权公告日:20150930 终止日期:20170910
2015-09-30	授权	授权
2016-01-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101726873910 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2007101480881 登记生效日:20151230 变更事项:专利权人变更前权利人:奇梦达股份公司变更后权利人:英飞凌科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:德国慕尼黑变更后权利人:德国瑙伊比贝尔格市

共 50 条

[1]

晶体管及存储单元阵列 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207852674U ,2018-09-11

[2]

铁电体晶体管及存储单元 [P].

R·斯坦格尔 ;

H·雷辛格 ;

T·汉德 ;

H·巴奇霍弗 .

中国专利 :CN1192438C ,2002-10-23

[3]

晶体管结构及存储单元阵列 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207852681U ,2018-09-11

[4]

晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法 [P].

M·波普 ;

T·舒斯特 ;

J·福尔 ;

J·韩恩 .

中国专利 :CN1983638A ,2007-06-20

[5]

晶体管、存储单元阵列以及制造晶体管的方法 [P].

约翰内斯·冯·克卢格 ;

斯特凡·特根 .

中国专利 :CN101140950A ,2008-03-12

[6]

反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片 [P].

安佑松 ;

赵劼 ;

杨涛 ;

张欣 ;

李俊峰 ;

王文武 .

中国专利 :CN114429991A ,2022-05-03

[7]

晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108063140A ,2018-05-22

[8]

晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN108063140B ,2024-03-29

[9]

晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110005A ,2018-06-01

[10]

晶体管结构、存储单元及存储器阵列 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207503975U ,2018-06-15

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