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反熔丝晶体管及其制造方法、存储单元及其阵列、芯片

被引：0
申请号：
CN202011185825.7
申请日：
2020-10-29
公开(公告)号：
CN114429991A
公开(公告)日：
2022-05-03
发明(设计)人：
安佑松 赵劼 杨涛 张欣 李俊峰 王文武
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906 H01L29423 H01L21336 H01L27108
代理机构：
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人：
刘广达
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-05-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20201029
2022-05-03 公开 公开
共 50 条
[1]
晶体管及存储单元阵列 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN207852674U ,2018-09-11
[2]
晶体管及存储单元阵列 [P]. 
T·施洛瑟 .
中国专利 :CN101174648A ,2008-05-07
[3]
一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P]. 
安佑松 ;
赵劼 ;
杨涛 ;
高建峰 .
中国专利 :CN114429957A ,2022-05-03
[4]
晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108110005A ,2018-06-01
[5]
晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法 [P]. 
M·波普 ;
T·舒斯特 ;
J·福尔 ;
J·韩恩 .
中国专利 :CN1983638A ,2007-06-20
[6]
反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器 [P]. 
黄础熠 ;
刘雯 ;
胡晓明 .
中国专利 :CN120730735A ,2025-09-30
[7]
电熔丝及其制造方法、存储单元 [P]. 
王文轩 ;
沈健 ;
王红超 .
中国专利 :CN111095546B ,2020-05-01
[8]
DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P]. 
申靖浩 ;
李俊杰 ;
周娜 ;
殷华湘 .
中国专利 :CN111883531A ,2020-11-03
[9]
晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN108063140A ,2018-05-22
[10]
晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN108063140B ,2024-03-29
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