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DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010596962.3
申请日：
2020-06-28
公开(公告)号：
CN111883531A
公开(公告)日：
2020-11-03
发明(设计)人：
申靖浩
李俊杰
周娜
殷华湘
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
代理机构：
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人：
付婧
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-11-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20200628 |
| 2020-11-03 | 公开 | 公开 |