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存储单元阵列及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200610077846.0
申请日
:
2006-05-08
公开(公告)号
:
CN1933160A
公开(公告)日
:
2007-03-21
发明(设计)人
:
D·曼格尔
S·施勒萨策克
S·泰根
K·米姆勒
A·西克
申请人
:
申请人地址
:
德国慕尼黑
IPC主分类号
:
H01L27108
IPC分类号
:
H01L218242
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
:
张雪梅;张志醒
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2007-03-21
公开
公开
2007-05-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-07-15
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
共 50 条
[1]
DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片
[P].
申靖浩
论文数:
0
引用数:
0
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0
申靖浩
;
李俊杰
论文数:
0
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0
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0
李俊杰
;
周娜
论文数:
0
引用数:
0
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0
周娜
;
殷华湘
论文数:
0
引用数:
0
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0
殷华湘
.
中国专利
:CN111883531A
,2020-11-03
[2]
存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法
[P].
L·黑内克
论文数:
0
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0
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0
L·黑内克
;
M·波普
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
M·波普
.
中国专利
:CN101140935A
,2008-03-12
[3]
一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片
[P].
安佑松
论文数:
0
引用数:
0
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0
安佑松
;
赵劼
论文数:
0
引用数:
0
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0
赵劼
;
杨涛
论文数:
0
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0
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0
杨涛
;
高建峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
高建峰
.
中国专利
:CN114429957A
,2022-05-03
[4]
存储单元电路、存储单元阵列结构及其制造方法
[P].
陈威臣
论文数:
0
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0
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0
机构:
旺宏电子股份有限公司
旺宏电子股份有限公司
陈威臣
;
吕函庭
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
旺宏电子股份有限公司
旺宏电子股份有限公司
吕函庭
.
中国专利
:CN119068922A
,2024-12-03
[5]
存储单元阵列及其形成方法
[P].
M·波普
论文数:
0
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0
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0
M·波普
;
F·雅库鲍斯基
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0
F·雅库鲍斯基
;
J·何茨
论文数:
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0
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0
J·何茨
;
L·海涅克
论文数:
0
引用数:
0
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0
L·海涅克
.
中国专利
:CN1893082A
,2007-01-10
[6]
晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法
[P].
M·波普
论文数:
0
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0
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0
M·波普
;
T·舒斯特
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0
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0
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0
T·舒斯特
;
J·福尔
论文数:
0
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0
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0
J·福尔
;
J·韩恩
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
J·韩恩
.
中国专利
:CN1983638A
,2007-06-20
[7]
存储单元阵列及其制造方法
[P].
陈邦明
论文数:
0
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0
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0
陈邦明
;
普拉蒂普·滕塔苏德
论文数:
0
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0
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0
普拉蒂普·滕塔苏德
;
范德慈
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
范德慈
.
中国专利
:CN101068020B
,2007-11-07
[8]
集成存储单元阵列
[P].
罗尔夫·韦兹
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
罗尔夫·韦兹
.
中国专利
:CN101140936B
,2008-03-12
[9]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法
[P].
黄猛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
黄猛
.
中国专利
:CN119486100A
,2025-02-18
[10]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法
[P].
李晓杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
李晓杰
.
中国专利
:CN119451093A
,2025-02-14
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