存储单元阵列及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200610077846.0
申请日
2006-05-08
公开(公告)号
CN1933160A
公开(公告)日
2007-03-21
发明(设计)人
D·曼格尔 S·施勒萨策克 S·泰根 K·米姆勒 A·西克
申请人
申请人地址
德国慕尼黑
IPC主分类号
H01L27108
IPC分类号
H01L218242
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
张雪梅;张志醒
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P]. 
申靖浩 ;
李俊杰 ;
周娜 ;
殷华湘 .
中国专利 :CN111883531A ,2020-11-03
[2]
存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法 [P]. 
L·黑内克 ;
M·波普 .
中国专利 :CN101140935A ,2008-03-12
[3]
一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P]. 
安佑松 ;
赵劼 ;
杨涛 ;
高建峰 .
中国专利 :CN114429957A ,2022-05-03
[4]
存储单元电路、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
陈威臣 ;
吕函庭 .
中国专利 :CN119068922A ,2024-12-03
[5]
存储单元阵列及其形成方法 [P]. 
M·波普 ;
F·雅库鲍斯基 ;
J·何茨 ;
L·海涅克 .
中国专利 :CN1893082A ,2007-01-10
[6]
晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法 [P]. 
M·波普 ;
T·舒斯特 ;
J·福尔 ;
J·韩恩 .
中国专利 :CN1983638A ,2007-06-20
[7]
存储单元阵列及其制造方法 [P]. 
陈邦明 ;
普拉蒂普·滕塔苏德 ;
范德慈 .
中国专利 :CN101068020B ,2007-11-07
[8]
集成存储单元阵列 [P]. 
罗尔夫·韦兹 .
中国专利 :CN101140936B ,2008-03-12
[9]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
黄猛 .
中国专利 :CN119486100A ,2025-02-18
[10]
存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法 [P]. 
李晓杰 .
中国专利 :CN119451093A ,2025-02-14