集成存储单元阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710146083.5

申请日：

2007-09-07

公开(公告)号：

CN101140936B

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

罗尔夫·韦兹

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L2978 H01L23522

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

章社杲;吴贵明

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20070907 授权公告日:20101208 终止日期:20170907
2010-12-08	授权	授权
2008-03-12	公开	公开
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-02-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727591985 IPC(主分类):H01L 27/108 专利号:ZL2007101460835 登记生效日:20160115 变更事项:专利权人变更前权利人:奇梦达股份公司变更后权利人:英飞凌科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:德国慕尼黑变更后权利人:德国瑙伊比贝尔格市

共 50 条

[1]

存储单元阵列以及形成该存储单元阵列的方法 [P].

L·黑内克 ;

M·波普 .

中国专利 :CN101140935A ,2008-03-12

[2]

存储单元阵列及其制造方法 [P].

D·曼格尔 ;

S·施勒萨策克 ;

S·泰根 ;

K·米姆勒 ;

A·西克 .

中国专利 :CN1933160A ,2007-03-21

[3]

DRAM存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P].

申靖浩 ;

李俊杰 ;

周娜 ;

殷华湘 .

中国专利 :CN111883531A ,2020-11-03

[4]

形成存储单元阵列的方法和存储单元阵列 [P].

R·韦斯 .

中国专利 :CN1877820A ,2006-12-13

[5]

存储单元阵列 [P].

T·施勒泽尔 .

中国专利 :CN1815718A ,2006-08-09

[6]

晶体管及存储单元阵列 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN207852674U ,2018-09-11

[7]

晶体管及存储单元阵列 [P].

T·施洛瑟 .

中国专利 :CN101174648A ,2008-05-07

[8]

晶体管、存储单元、存储单元阵列及其形成方法 [P].

M·波普 ;

T·舒斯特 ;

J·福尔 ;

J·韩恩 .

中国专利 :CN1983638A ,2007-06-20

[9]

一种存储单元及其制造方法、存储单元阵列、芯片 [P].

安佑松 ;

赵劼 ;

杨涛 ;

高建峰 .

中国专利 :CN114429957A ,2022-05-03

[10]

存储单元电路、存储单元阵列结构及其制造方法 [P].

陈威臣 ;

吕函庭 .

中国专利 :CN119068922A ,2024-12-03

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