半导体模块及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310682416.1

申请日：

2013-12-12

公开(公告)号：

CN103872036A

公开(公告)日：

2014-06-18

发明(设计)人：

孙莹豪赵银贞林栽贤金泰贤

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

H01L2348 H01L23367 H01L2150 H01L2160

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

韩芳;鲁恭诚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583758280 IPC(主分类):H01L 25/16 专利申请号:2013106824161 申请日:20131212
2017-03-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101747735014 IPC(主分类):H01L 25/16 专利申请号:2013106824161 申请公布日:20140618
2014-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

高山 ;

崔硕文 ;

金泰贤 ;

洪周杓 ;

张范植 ;

朴志贤 .

中国专利 :CN101958307B ,2011-01-26

[2]

半导体模块及其制造方法 [P].

U·基尔希纳 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN102403296A ,2012-04-04

[3]

半导体模块及其制造方法 [P].

金泰龙 ;

金德秀 .

韩国专利 :CN117476571A ,2024-01-30

[4]

半导体模块及其制造方法 [P].

米田裕 ;

藤野纯司 ;

畑端佳 ;

佐藤甚 .

中国专利 :CN111837299A ,2020-10-27

[5]

半导体模块及其制造方法 [P].

哈米特·杜兰 ;

胡竣富 .

中国专利 :CN109891576A ,2019-06-14

[6]

半导体模块及其制造方法 [P].

本间一郎 .

中国专利 :CN113272941A ,2021-08-17

[7]

半导体模块及其制造方法 [P].

哈里·黑德勒 ;

罗兰·伊尔西格勒 ;

托尔斯滕·迈耶 .

中国专利 :CN1604313A ,2005-04-06

[8]

半导体模块及其制造方法 [P].

西田祐平 ;

百瀬文彦 ;

出野尭 ;

北村征宽 .

中国专利 :CN111512434A ,2020-08-07

[9]

半导体模块及其制造方法 [P].

张洪波 .

日本专利 :CN117423667A ,2024-01-19

[10]

半导体模块及其制造方法 [P].

金德秀 ;

金泰龙 .

韩国专利 :CN117594559A ,2024-02-23

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