半导体模块及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110332018.8
申请日
2011-09-13
公开(公告)号
CN102403296A
公开(公告)日
2012-04-04
发明(设计)人
U·基尔希纳 R·西米尼克
申请人
申请人地址
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
IPC主分类号
H01L23495
IPC分类号
H01L2148
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
刘春元;卢江
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体模块及其制造方法 [P]. 
哈里·黑德勒 ;
罗兰·伊尔西格勒 ;
托尔斯滕·迈耶 .
中国专利 :CN1604313A ,2005-04-06
[2]
半导体模块及其制造方法 [P]. 
小平悦宏 .
中国专利 :CN103430306A ,2013-12-04
[3]
半导体模块及其制造方法 [P]. 
羽鸟宪司 ;
长谷川滋 .
中国专利 :CN102263092A ,2011-11-30
[4]
半导体模块及其制造方法 [P]. 
成田明仁 ;
佐藤直也 .
中国专利 :CN101527286A ,2009-09-09
[5]
半导体模块及其制造方法 [P]. 
佐藤忠彦 ;
梨子田典弘 .
中国专利 :CN115602641A ,2023-01-13
[6]
半导体器件及其制造方法和半导体模块制造方法 [P]. 
林义成 .
中国专利 :CN101719486B ,2010-06-02
[7]
半导体模块和半导体模块制造方法 [P]. 
新开次郎 .
中国专利 :CN104350594A ,2015-02-11
[8]
半导体模块的制造方法、半导体模块 [P]. 
板桥龙也 .
中国专利 :CN103681376A ,2014-03-26
[9]
半导体芯片封装、半导体模块及其制造方法 [P]. 
权容台 .
中国专利 :CN103229293B ,2013-07-31
[10]
功率半导体模块及其制造方法 [P]. 
井川修 ;
望月英司 ;
早乙女全纪 ;
有川典男 .
中国专利 :CN1753177A ,2006-03-29