半导体模块及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110022812.2

申请日：

2011-01-20

公开(公告)号：

CN102263092A

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

羽鸟宪司长谷川滋

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2158 H01L2160 H01L2198

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

闫小龙;王忠忠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-30	公开	公开
2012-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101169313485 IPC(主分类):H01L 25/07 专利申请号:2011100228122 申请日:20110120
2016-08-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体模块及其制造方法 [P].

U·基尔希纳 ;

R·西米尼克 .

中国专利 :CN102403296A ,2012-04-04

[2]

半导体模块及其制造方法 [P].

小平悦宏 .

中国专利 :CN103430306A ,2013-12-04

[3]

半导体模块及其制造方法 [P].

成田明仁 ;

佐藤直也 .

中国专利 :CN101527286A ,2009-09-09

[4]

半导体模块及其制造方法 [P].

佐藤忠彦 ;

梨子田典弘 .

中国专利 :CN115602641A ,2023-01-13

[5]

半导体器件及其制造方法和半导体模块制造方法 [P].

林义成 .

中国专利 :CN101719486B ,2010-06-02

[6]

半导体模块和半导体模块制造方法 [P].

新开次郎 .

中国专利 :CN104350594A ,2015-02-11

[7]

半导体模块的制造方法、半导体模块 [P].

板桥龙也 .

中国专利 :CN103681376A ,2014-03-26

[8]

半导体芯片封装、半导体模块及其制造方法 [P].

权容台 .

中国专利 :CN103229293B ,2013-07-31

[9]

功率半导体模块及其制造方法 [P].

井川修 ;

望月英司 ;

早乙女全纪 ;

有川典男 .

中国专利 :CN1753177A ,2006-03-29

[10]

电力半导体模块及其制造方法 [P].

高在铉 .

中国专利 :CN106158784B ,2016-11-23

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