外延生长装置及其生长外延层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710362271.5

申请日：

2017-05-22

公开(公告)号：

CN108930061B

公开(公告)日：

2018-12-04

发明(设计)人：

雷鹏柳鹏姜开利范守善

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-04	公开	公开
2021-04-02	授权	授权
2018-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20170522

共 50 条

[1]

外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置 [P].

张磊 ;

董信国 ;

储郁冬 ;

贾超超 .

中国专利 :CN118685855A ,2024-09-24

[2]

外延生长方法及外延生长装置、外延设备 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN119685923A ,2025-03-25

[3]

外延生长方法及外延生长装置、外延设备 [P].

梁鹏欢 .

中国专利 :CN118814269A ,2024-10-22

[4]

外延生长装置和外延生长方法 [P].

费璐 ;

林志鑫 ;

曹共柏 ;

王华杰 ;

董晨华 ;

季文明 .

中国专利 :CN110685009A ,2020-01-14

[5]

外延生长方法及外延生长装置 [P].

刘晨阳 ;

王力 .

中国专利 :CN119640396A ,2025-03-18

[6]

外延层的生长装置以及生长方法 [P].

张磊 ;

贾超超 ;

康俊龙 .

中国专利 :CN118756331A ,2024-10-11

[7]

外延生长基座和外延生长装置 [P].

刘凯 ;

金柱炫 .

中国专利 :CN117431623A ,2024-01-23

[8]

外延生长装置的调温方法以及外延生长装置 [P].

汪延成 ;

程佳峰 ;

沈文杰 ;

梅德庆 ;

郑丽霞 ;

周建灿 ;

白天 ;

张秋成 ;

李阳健 .

中国专利 :CN113846376B ,2021-12-28

[9]

外延生长层的制造方法 [P].

F·勒泰特 ;

B·富尔 .

中国专利 :CN100393922C ,2006-08-30

[10]

制造外延生长层的方法 [P].

B·富尔 ;

L·迪乔奇欧 .

中国专利 :CN100415947C ,2006-08-30

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