制造外延生长层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480021387.3

申请日：

2004-07-07

公开(公告)号：

CN100415947C

公开(公告)日：

2006-08-30

发明(设计)人：

B·富尔 L·迪乔奇欧

申请人：

申请人地址：

法国贝尔尼

IPC主分类号：

C30B2502

IPC分类号：

H01L21762 C30B3300

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

程伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-03	授权	授权
2006-08-30	公开	公开
2006-10-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

外延生长层的制造方法 [P].

F·勒泰特 ;

B·富尔 .

中国专利 :CN100393922C ,2006-08-30

[2]

外延生长装置及其生长外延层的方法 [P].

雷鹏 ;

柳鹏 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN108930061B ,2018-12-04

[3]

外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置 [P].

张磊 ;

董信国 ;

储郁冬 ;

贾超超 .

中国专利 :CN118685855A ,2024-09-24

[4]

在复合结构上制造外延生长层的方法 [P].

B·福雷 ;

A·马尔科韦基奥 .

中国专利 :CN101925995A ,2010-12-22

[5]

外延层的生长装置以及生长方法 [P].

张磊 ;

贾超超 ;

康俊龙 .

中国专利 :CN118756331A ,2024-10-11

[6]

外延生长装置及外延晶片的制造方法 [P].

胡盛珀 ;

楢原和宏 .

日本专利 :CN114026273B ,2024-01-09

[7]

外延生长装置及外延晶片的制造方法 [P].

胡盛珀 ;

楢原和宏 .

中国专利 :CN114026273A ,2022-02-08

[8]

双外延层的制造方法 [P].

刘厥扬 ;

胡展源 .

中国专利 :CN111106067B ,2020-05-05

[9]

多层外延层的生长设备以及生长方法 [P].

张斌 ;

陈浩 ;

张峰 .

中国专利 :CN101550590A ,2009-10-07

[10]

电流扩展层的外延生长方法 [P].

张宇 .

中国专利 :CN106299062B ,2017-01-04

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