在复合结构上制造外延生长层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980102590.6

申请日：

2009-01-06

公开(公告)号：

CN101925995A

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

B·福雷 A·马尔科韦基奥

申请人：

申请人地址：

法国贝尔南

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2120 H01L21683

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	授权	授权
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035906076 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2009801025906 申请日:20090106
2010-12-22	公开	公开

共 50 条

[1]

具有稳定的氧化物结合层的复合结构的制造方法 [P].

B·福雷 ;

A·马尔科韦基奥 .

中国专利 :CN101925994B ,2010-12-22

[2]

外延生长层的制造方法 [P].

F·勒泰特 ;

B·富尔 .

中国专利 :CN100393922C ,2006-08-30

[3]

制造外延生长层的方法 [P].

B·富尔 ;

L·迪乔奇欧 .

中国专利 :CN100415947C ,2006-08-30

[4]

一种在复合结构衬底上异质外延生长GaN的方法 [P].

何俊蕾 ;

彭若诗 ;

刘洋博文 ;

袁俊 ;

杨冰 ;

沈晓安 .

中国专利 :CN117727615A ,2024-03-19

[5]

衬底上外延层的生长方法及半导体结构 [P].

荣维龙 ;

李炜 ;

张昱 ;

曹亮 ;

王滔 .

中国专利 :CN119170485A ,2024-12-20

[6]

在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置 [P].

梁勇 ;

N·库玛 .

中国专利 :CN114830332A ,2022-07-29

[7]

在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置 [P].

梁勇 ;

N·库玛 .

美国专利 :CN114830332B ,2025-03-28

[8]

外延生长装置及其生长外延层的方法 [P].

雷鹏 ;

柳鹏 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN108930061B ,2018-12-04

[9]

氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长 [P].

托马斯·杰赫克 ;

凯文·J·林斯卡姆 ;

罗伯特·F·戴维斯 .

中国专利 :CN1409868A ,2003-04-09

[10]

在硅或类似的基材上制造氮化镓的厚的外延层的方法以及使用所述方法获得的层 [P].

D·申克 ;

A·巴瓦尔 ;

Y·科尔迪耶 ;

E·弗雷西内 ;

M·肯纳德 ;

D·龙迪 .

中国专利 :CN103828019B ,2014-05-28

← 1 2 3 4 5 →