在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置

被引：0

申请号：

CN202080088210.4

申请日：

2020-10-19

公开(公告)号：

CN114830332A

公开(公告)日：

2022-07-29

发明(设计)人：

梁勇 N·库玛

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2700

IPC分类号：

G02F100 G02B610 H01L2100

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张维

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-29	公开	公开

共 50 条

[1]

在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置 [P].

梁勇 ;

N·库玛 .

美国专利 :CN114830332B ,2025-03-28

[2]

半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 [P].

橘浩一 ;

本乡智惠 ;

布上真也 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1741296A ,2006-03-01

[3]

衬底上外延层的生长方法及半导体结构 [P].

荣维龙 ;

李炜 ;

张昱 ;

曹亮 ;

王滔 .

中国专利 :CN119170485A ,2024-12-20

[4]

在晶格高度失配的衬底上外延生长半导体的方法 [P].

王望南 ;

尤里·G·施莱特 ;

尤里·T·莱班尼 .

中国专利 :CN1281247A ,2001-01-24

[5]

包含在衬底上的至少一个单晶层的元件的制造方法 [P].

米歇尔·安西洛蒂 ;

皮埃尔·托齐纳 ;

弗雷德里克·莱纳特 ;

奥利维耶·布里埃 ;

奥利维耶·卡里奥 ;

格拉尔德·加多 .

中国专利 :CN101299409A ,2008-11-05

[6]

外延衬底、外延衬底的制备方法及外延衬底作为生长外延层的应用 [P].

魏洋 ;

范守善 .

中国专利 :CN102263171A ,2011-11-30

[7]

生长在Ag衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895486U ,2014-10-22

[8]

一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法 [P].

芦红 ;

苗艺 ;

魏炼 ;

叶佳佳 ;

宋欢欢 ;

陈延峰 .

中国专利 :CN109166788A ,2019-01-08

[9]

在半导体衬底上制造外延层的方法及用这种方法制造的器件 [P].

菲利浦·默尼耶－贝拉德 ;

亨特里希·G·A·赫伊津 .

中国专利 :CN101073148A ,2007-11-14

[10]

在硅衬底上生长的发光器件 [P].

R.辛格 ;

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN104205369A ,2014-12-10

← 1 2 3 4 5 →