一种在硅衬底上直接外延生长锗虚拟衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810992194.6

申请日：

2018-08-29

公开(公告)号：

CN109166788A

公开(公告)日：

2019-01-08

发明(设计)人：

芦红苗艺魏炼叶佳佳宋欢欢陈延峰

申请人：

申请人地址：

210046 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

江苏法德永衡律师事务所 32305

代理人：

胡玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-08	公开	公开
2019-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180829
2021-03-19	授权	授权

共 50 条

[1]

锗硅衬底的生长方法以及锗硅衬底 [P].

魏星 ;

薛忠营 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102386068B ,2012-03-21

[2]

锗衬底的生长方法以及锗衬底 [P].

魏星 ;

薛忠营 ;

曹共柏 ;

张峰 ;

张苗 ;

王曦 .

中国专利 :CN102383192B ,2012-03-21

[3]

一种在锗衬底上外延生长单晶钛酸钡薄膜的方法 [P].

牛刚 ;

代立言 ;

任巍 ;

赵金燕 ;

王延昆 ;

武和平 ;

刘逸为 ;

王玲艳 ;

史鹏 .

中国专利 :CN109898138A ,2019-06-18

[4]

一种优化的在硅衬底上外延生长β-碳化硅薄膜的方法 [P].

赵志飞 ;

李赟 ;

朱志明 .

中国专利 :CN105140102B ,2015-12-09

[5]

一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法 [P].

于海龙 ;

高汉超 ;

王伟 ;

马奔 .

中国专利 :CN114232085B ,2024-02-06

[6]

一种在InP衬底上外延生长InGaAs的方法 [P].

于海龙 ;

高汉超 ;

王伟 ;

马奔 .

中国专利 :CN114232085A ,2022-03-25

[7]

一种硅衬底上单晶硅外延生长方法 [P].

余林蔚 ;

陈婷婷 ;

梁磊 ;

徐伟 ;

王佳佳 ;

思佳乐 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN121137795A ,2025-12-16

[8]

一种在非金属衬底上生长磷烯的方法 [P].

张伟 ;

曹水艳 ;

孙向楠 ;

赵晓明 ;

郭万林 .

中国专利 :CN120719392A ,2025-09-30

[9]

一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构 [P].

陈振 .

中国专利 :CN104733511A ,2015-06-24

[10]

一种硅基图形衬底上生长外延层的方法 [P].

朱建军 ;

徐科 ;

王建峰 .

中国专利 :CN101378017A ,2009-03-04

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