一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410057090.8

申请日：

2014-02-20

公开(公告)号：

CN104733511A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

陈振

申请人：

申请人地址：

330096 江西省南昌市高新区艾溪北路699号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20150624
2015-06-24	公开	公开
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687993231 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2014100570908 申请日:20140220

共 50 条

[1]

在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 [P].

梁萌 ;

李鸿渐 ;

姚然 ;

李志聪 ;

李盼盼 ;

王兵 ;

李璟 ;

伊晓燕 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102534769B ,2012-07-04

[2]

硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法 [P].

王质武 .

中国专利 :CN101469446A ,2009-07-01

[3]

一种在硅衬底上生长氮化镓薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

肖红领 .

中国专利 :CN110752146A ,2020-02-04

[4]

采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN107910244B ,2018-04-13

[5]

在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 [P].

刘祥林 ;

焦春美 ;

于英仪 ;

赵凤瑗 .

中国专利 :CN1779910A ,2006-05-31

[6]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[7]

一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构 [P].

王洪 ;

方溢 ;

王楷 ;

沈霈 ;

陈玲 .

中国专利 :CN221239616U ,2024-06-28

[8]

生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片 [P].

李国强 ;

韩晶磊 ;

温雷 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN206697514U ,2017-12-01

[9]

一种基于硅衬底的硅基氮化镓材料外延结构 [P].

吴义针 ;

汪连山 ;

麻胜恒 ;

孙文红 ;

陈福鑫 .

中国专利 :CN120129274A ,2025-06-10

[10]

在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 [P].

刘喆 ;

李晋闽 ;

王军喜 ;

王晓亮 ;

王启元 ;

刘宏新 ;

王俊 ;

曾一平 .

中国专利 :CN1967778A ,2007-05-23

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