一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202322529146.2

申请日：

2023-09-15

公开(公告)号：

CN221239616U

公开(公告)日：

2024-06-28

发明(设计)人：

王洪方溢王楷沈霈陈玲

申请人：

中山市华南理工大学现代产业技术研究院华南理工大学

申请人地址：

528436 广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/20 H01L21/02 H01L29/778

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

江裕强

法律状态：

授权

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于硅衬底的氮化镓材料外延结构及其制备方法 [P].

王洪 ;

方溢 ;

王楷 ;

沈霈 ;

陈玲 .

中国专利 :CN117374100A ,2024-01-09

[2]

一种基于硅衬底的硅基氮化镓材料外延结构 [P].

吴义针 ;

汪连山 ;

麻胜恒 ;

孙文红 ;

陈福鑫 .

中国专利 :CN120129274A ,2025-06-10

[3]

一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构 [P].

陈振 .

中国专利 :CN104733511A ,2015-06-24

[4]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[5]

一种硅基氮化镓外延结构 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN210805810U ,2020-06-19

[6]

采用硅图形衬底生长氮化镓外延方法 [P].

梁辉南 .

中国专利 :CN107910244B ,2018-04-13

[7]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786B ,2024-05-28

[8]

硅基氮化镓外延结构及其制备方法 [P].

孙钱 ;

刘建勋 ;

孙秀建 ;

詹晓宁 ;

高宏伟 ;

黄应南 ;

杨辉 .

中国专利 :CN113539786A ,2021-10-22

[9]

一种硅衬底的氮化镓芯片 [P].

张江鹏 ;

路立峰 ;

唐兰香 ;

甘琨 ;

高建海 .

中国专利 :CN209880591U ,2019-12-31

[10]

一种硅衬底的氮化镓芯片 [P].

丁一仙 ;

莫超华 .

中国专利 :CN214672678U ,2021-11-09

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